ST推出新款M系列650V IGBT

意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）推出新款M系列650V IGBT，为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案，适用于暖通空调系统（HVAC）电机驱动、不间断电源、太阳能转换器以及所有的硬开关（hard-switching）电路拓扑20kHz功率转换应用。

采用意法半导体的第三代沟栅式场截止型（trench-gate field-stop）低损耗制造工艺，M系列IGBT有一个全新沟栅（trench gate）和特殊设计的P-N-P垂直结构，可以在导通损耗和开关损耗之间找到了最佳平衡点，从而能够大幅提升晶体管的整体性能。在150°C初始高结温时，最小短路耐受时间为6μs，175°C最大工作结温及宽安全工作范围有助于延长元器件的使用寿命，同时提高对功率耗散有极高要求的应用可靠性。

此外，新产品的封装还集成了新一代续流二极管（Free-wheeling Diode）。新二极管提供快速恢复功能，并同时保持低正向压降和高恢复软度。这项设计不仅可实现优异的EMI保护功能，同时可以有效降低开关损耗。正VCE(sat)温度系数，结合紧密的参数分布，使新产品能够安全并联，并满足更大功率的要求。

M系列产品的主要特性：

·650V IGBT，大部分竞争产品为600V；

·低VCE(sat)(1.55V @25°C)电压，能够最大限度降低导通损耗；

·出色的稳健性，拥有广泛的安全工作范围以及无闩锁现象（latch-free operation）；

·业内最佳的Etot- Vce(sat)平衡比；

·175°C最大工作结温；

·高温短路耐受时间最短6μs；

·电压过冲有限，确保关断期间无振荡；