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来源:中国IC网发布时间:2021-10-20183浏览
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描述:
DRV8705-Q1是高度集成的 H 桥栅极驱动器,能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它使用一个集成的双倍电荷泵用于高端和一个用于低端的线性稳压器来产生合适的栅极驱动电压。
该器件采用智能栅极驱动架构来降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器优化死区时间以避免直通条件,通过可调节的栅极驱动电流控制降低电磁干扰 (EMI),并通过 V DS和 V GS监视器防止漏源和栅极短路情况。
低侧分流AD5516ABC-3放大器允许进行电流检测,以测量电机电流并向外部控制器提供反馈以进行限流或堵转检测。
DRV8705-Q1 提供一系列保护功能,以确保系统稳健运行。其中包括电源和电荷泵的欠压和过压监视器、外部 MOSFET 的V DS过流和 V GS栅极故障监视器、离线开路负载和短路诊断以及内部热警告和关断保护。
特性:
●AEC-Q100 符合汽车应用的要求:
—温度1级:-40°C到+ 125°C,T甲
●功能安全能力
—可用于辅助功能安全系统设计的文档
●H桥智能栅极驱动器
—4.9V 至 37V(绝对最大值为 40V)工作范围
—用于 100% PWM 的倍频电荷泵
—半桥和 H 桥控制模式
●引脚到引脚栅极驱动器变体
—DRV8106-Q1:具有在线放大器的半桥
—DRV8706-Q1:带内联放大器的 H 桥
●智能栅极驱动架构
—可调压摆率控制
—0.5mA 至 62mA峰值源电流输出
—0.5mA 至 62mA 峰值灌电流输出
—集成死区时间握手
●低侧分流放大器
—可调增益设置(10、20、40、80 V/V)
—集成反馈电阻
—可调 PWM 消隐方案
●提供多种接口选项
—SPI:详细配置和诊断
—硬件:简化的控制和更少的 MCU 引脚
●用于降低 EMI 的扩频时钟
●具有可湿性侧面的紧凑型 VQFN 封装
●集成保护功能
—专用驱动器禁用引脚 (DRVOFF)
—电源和稳压器电压监视器
—MOSFET V DS过流监视器
—MOSFET V GS栅极故障监视器
—用于反极性 MOSFET 的电荷泵
—离线开路负载和短路诊断
—设备过热警告和关机
—故障条件中断引脚 (nFAULT)
参数:
全桥数:1
Vs (最小值) (V):4.5
与 ABS(最大)(V):40
休眠电流 (uA):2.5
控制方式:独立 1/2 桥、PH/EN、PWM
控制界面:硬件 (GPIO)、SPI
特征:电流检测放大器,智能栅极驱动
TI 功能安全类别:功能安全能力
工作温度范围 (°C):-40 到 125


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