贸泽推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驱动器

　　
　　TI LMG1210是一款50 MHz半桥驱动器，经过特别设计，能与电压高达200V的增强模式GaN FET搭配使用。LMG1210能实现超高性能与高效运行，并具有10 ns的超短传播延迟，优于传统硅半桥驱动器。此器件还具有1 pF的低开关节点电容和用户可调的死区时间控制，可让设计人员优化系统内的死区时间，进而改善效率。
　　
　　LMG1210拥有3.4 ns高侧/低侧延迟匹配、4 ns最小脉宽和内部LDO，可确保在任何电源电压下都能维持5V的栅极驱动电压。本驱动器还具备超过300 V/ns的业内超高共模瞬态抗扰度 (CMTT)，可实现较高的系统抗扰性。
　　
　　TI LMG1210驱动器适用于高速DC/DC转换器、电机控制、D类音频放大器、E类无线充电、RF包络跟踪以及其他功率转换应用。
　　
　　更多信息，敬请访问www.mouser.cn/ti-lmg1210-mosfet-gan-fet-drivers。