预计月产能4~5万片，传三星将在P3厂增设176层NAND产线

据韩国媒体《BusinessKorea》报道，半导体大厂三星正加紧准备2022年开始对其位于平泽的新半导体工厂进行大规模投资。

报道指出，三星计划先在建设中的平泽3号工厂(P3) 建立NAND Flash生产线，然后再建立DRAM生产线和3纳米制程代工产线。目前，三星正与国内外材料、零组件、设备合作伙伴洽谈。

P3工厂扩建后，三星将增设一条第七代176层NAND Flash生产线，每月生产40K~50K的12英寸晶圆，预计2022年4月左右开始引进设备。

市场分析师表示，先安装NAND Flash生产线的原因，是为了扩大与追随者的技术差距，因为NAND Flash市场竞争加剧，据市场人士说法，西部数据可能收购日本存储器大厂铠侠，美光科技也量产176层堆叠NAND Flash，在此情况下，NAND Flash市场的竞争正逐渐升温。

此外，三星还制定了2022年下半年建设DRAM和3纳米代工产线计划。市场人士预计，为响应DDR5 DRAM时代的到来，三星将打造14纳米制程EUV DRAM生产线。业内人士进一步补充，三星计划建立3纳米制程代工产线，未来每月可量产10K~20K的12英寸晶圆。

三星电子预计，2022年将在华城和P3工厂所在的平泽工厂导入先进生产技术。据三星计划，投资DRAM和晶圆代工产线后，其在韩国的半导体产能将增加至每月150K晶圆。