晶圆代工厂茂矽MOSFET冲刺业绩 积极布局绝缘闸双极电晶体

台湾地区晶圆代工厂茂矽金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)产品订单能见度直达年底，公司积极布局绝缘闸双极电晶体(IGBT)等目前营收占比不大、但后市需求看好的业务，并持续拉升高阶与较高单价的产出比重，冲刺业绩。

茂矽已于去年底将过去介入太阳能业务的负担全数提列减损，今年持续强化代工事业与新产品发展，累计前八月合并营收为12.12亿元(新台币，后同)，年增约一成，上半年每股纯益为0.99元。

茂矽上半年营收结构中，MOSFET代工约占47%，二极体占34%左右，下半年起MOSFET占比持续提高，目前相关月产能约3万片，订单能见度到年底;二极体相关月产能约2万多片。

茂矽8月已达成产出6万片的目标，近日公告将进行现增，预计将发行4.2万张，规划于年底前完成。茂矽18日举行法说会，董事长暨总经理唐亦仙透露，该现增募集资金主要用于购置IGBT所需相关设备，一部分MOSFET产品也可使用。

现阶段茂矽IGBT相关业绩贡献度仍少，但备受期待，已完成650V/1200V产品线开发，6月开始已送样给客户认证中。茂矽指出，大部分IGBT厂在600V至1200V的中端电压范围内，都同时拥有分立器件与模组解决方案，该公司也会依市场需求，供应晶片并与客户共同开发方案。