中科院微电子FinFET发明专利有效，与英特尔六次交锋均获胜！

9月8日消息，在英特尔与中科院微电子所围绕后者持有的“FinFET专利”有效性的第六次交锋中，中科院微电子所再度成功获胜。

早在2018年，中科院微电子所就指控英特尔（中国）有限公司的酷睿（Core）系列处理器侵犯了其名为“半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法”（专利号为201110240931.5）的FinFET专利，要求英特尔赔偿至少2亿元，同时请求法院对“酷睿”产品实施禁售。

△图片来源：国家知识产权局

涉案的FinFET（鳍式场效应晶体管）专利是一项与FinFET工艺相关的发明专利，要知道，英特尔使用FinFET技术制造芯片最早可追溯到2011年，且目前英特尔在售的大部分芯片都采用了FinFET技术，如果英特尔侵权，那么对于英特尔来说将会面临非常严重的危机。

因此，英特尔很快在中美两地多次对中科院微电子所持有的专利号为201110240931.5的FinFET专利及美国同族专利9070719提出了无效宣告请求，但均已失败告终。

2020年1月，英特尔再次向国家知识产权局提出了无效宣告请求，请求宣告该专利权利要求8、10、14无效，经过审查，国知局当年8月宣告专利权部分无效，201110240931.5号发明专利的权利要求8、10、14无效，在权利要求1-7、9、11-13的基础上继续维持该专利有效。

近期，国家知识产权局宣告，维持中科院微电子所持有的201110240931.5号发明专利权的权利要求1-7有效。这也是英特尔与中科院微电子所围绕“FinFET专利”有效性的第六次交锋中再度获胜。

资料显示，微电子所在FinFET领域专利实力非常雄厚。国外专利咨询公司LexInnova在2015年进行的FinFET领域专利调查研究显示，中科院微电子所专利申请数量在该领域排名第11位，专利申请质量被评估为全球第一。

公开信息显示，微电子所专利数量和质量都非常可观。截至目前，微电子所围绕集成电路、高可靠器件与电路、物联网等领域已经提交中国专利申请5000余件，国外专利申请500余件，转让专利158件，达成专利许可1505件。同时，微电子所也不缺乏与国际性大企业进行“专利战”的经验。2017年5月，中科院就曾在深圳和广州对美国LED制造商CREE及其国内子公司发起专利侵权诉讼。