中国首款自主知识产权相变存储器芯片研制成功

　　新华网上海４月１７日电（沈从乐　罗争光）记者１７日从中国科学院上海微系统与信息技术研究所获悉，中国第一款具有自主知识产权的相变存储器（ＰＣＲＡＭ）芯片研制成功，产业化前景可观。

　　据专家介绍，相比于传统存储器利用电荷形式进行存储，相变存储器主要利用可逆相变材料晶态和非晶态的导电性差异实现存储，被称为是“操纵原子排列而实现存储”的新型存储器。

　　中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、ＰＣＲＡＭ研究项目负责人宋志棠表示，ＰＣＲＡＭ相变存储器不仅综合了目前半导体存储器市场上主流的ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ和ＦＬＡＳＨ等存储器的优良特性，而且还具有微缩性能优越、非挥发性、循环寿命长、数据稳定性强、功耗低等诸多优势，被认为是下一代非挥发存储技术的最佳解决方案之一。

　　目前，英特尔、美光、三星等国际知名半导体公司均在ＰＣＲＡＭ产业化进程中取得有效进展，其中美光有多款替代ＮＯＲ　ＦＬＡＳＨ的产品，三星已研制出最大容量为５１２Ｍｂ的ＰＣＲＡＭ试验芯片，并投入量产，在手机存储卡中开始应用。

　　上海微系统与信息技术研究所已制成的ＰＣＲＡＭ试验芯片存储容量为８Ｍｂ，在８英寸硅片上的每一块存储芯片，存储单元成品率达９９％以上。经语音演示，已证实该芯片可实现读、写、擦的存储器全部功能。截至２０１０年底，该款ＰＣＲＡＭ相变存储器已经获得５０多项发明专利授权，１５０多项专利公开，相关专利分布涵盖从材料、结构工艺、设计到测试的芯片生产全部流程。专家表示，此款ＰＣＲＡＭ芯片将可取代ＮＯＲ　ＦＬＡＳＨ等传统存储器，广泛应用于手机存储、射频识别等多种消费型电子产品中。