存储器龙头三星电子(Samsung Electronics)为了对应市场消沉的状况，预计将大幅缩减2016年的投资。比起大量生产，将以高附加价值产品为中心，只进行保守性的投资，是要确保收益的策略。反之，东芝(Toshiba)等公司计划增加投资，缩减与三星差距。
半导体业界人士表示，比起已用V-NAND技术独占3D NAND市场的三星来说，其他从2016年才要开始量产的业者们，得要投资更多才可能缩小与三星的技术差距。虽然新的一年市场条件不好，但在后方追击业者们却来势汹汹。
据韩媒Money Today引用市调业者IHS资料显示，2016年三星NAND Flash投资展望是20亿美元，比起2015年的33亿美元大幅缩减。DRAM投资展望也是只有53亿美元，预计比起2015年将减少10亿美元。NAND和DRAM加总起来，存储器全部投资展望是73亿美元，比起2015年减少约23亿美元。
三星相关人士表示，投资状况会跟着市况有很大的变动，目前无法确定金额。缩减投资的理由是因为全球经济萎缩，对IT产品的需求整体下降，产品价格也走弱。以DDR4 4Gb为基准，DRAM价格在2015年6月是3.7美元，到12月已经跌到2.1美元左右了。
值得注意的是，其他竞争对手们如果要赶上技术领先的三星，只能持续的增加投资。存储器排名第二的SK海力士(SK Hynix)已发表2016年将维持2015年的水准，预计将投资6兆韩元(约50亿美元)以上。
依照领域来看，2016年投资将集中扩大投资于3D NAND市场中。将投资最多的是与新帝(SanDisk)合作的东芝，预计将投资34亿美元；美光(Micron)投资金额预计将为23亿美元，比2015年增加了8亿美元；宣布要进入NAND市场的英特尔(Intel)也将新增15亿美元的投资。
首先，东芝和新帝将一起投资5兆韩元以上，预计将在日本三重县四日市新建NAND工厂。东芝在2015年第3季NAND市占率为30.3%，紧跟在龙头三星电子的36.7%之后。东芝与新帝的投资预计大陆也会连带受惠。业界意见指出，新帝被大陆的紫光集团给间接收购了，因此也有可能跟大陆业者扩大合作。
而三星则预计用先进技术为武器，来甩开追击的竞争业者。相关人士表示，三星在2015年就已经先进行了许多必需的基本设备投资，所以预计2016年将以高附加价值产品为中心，并聚焦在强化收益上。三星2016年将开始量产使用了10纳米微细制程技术的DRAM，以此拉开与停留在20纳米对手的差距。
至于三星在大陆西安厂投资将继续进行，与整体缩减投资无关，并且将增加从2015年开始量产的第三代(48层)V-NAND的比重。预计最近数年间所累积的西安工厂折旧负担也将逐渐减轻，而收益将更上一层。三星电子在2015年1~9月光是半导体设备就处理了9.3兆韩元的折旧费。
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