DC/DC电源管理应用中的功率MOSFET的热分析方法

　　电子系统的小型化趋势对电子产业产生了一系列重要影响，其中，合理的热设计和优化的重要性与日俱增。现在的手持设备和便携式系统可以实现很高的功率重量比，其好处包括节省材料和降低总体成本。但是小型化是有代价的，尤其是对热管理而言。从一个紧凑的系统把热量散发出去，要比在大系统中完成此项任务的设计难度更大，这要求所有的系统设计师都对功率半导体器件的热行为有一定的了解。在很多系统中，MOSFET是核心的功率管理器件，而且MOSFET还容易受到各种应力的影响，因此了解功率MOSFET的发热行为显得尤其重要。

　　虽然在理论上可以用通用热分析软件来了解功率MOSFET的热行为，还是需要一定程度的器件专业知识，而除了MOSFET制造商自己，其他人对这些知识知之甚少。基于RC网络的行为模型是不够的，因为难以保持边界条件的独立性，也难于把不同层次的模型组合到一起。二维或半维仿真也有同样的局限，只有三维模型才可行。系统设计师需要的是专用软件，要求有功率建模功能，而不是供非专业用户使用的非常简单的软件。

　　当然根据它们各自的应用领域，这些工具的先进功能只能在封装、PCB级别发挥出来，或者是在外壳级别，但肯定不是在所有的级别。

　　ANSYS和其他有限元分析工具在分析MOSFET热行为时相当有效，但是需要很复杂的专业知识，而且它们的功能也要比应用所需的功能要多很多。这种多功能的工具不仅仅只是用来解决某类问题，例如电子、传热和机械问题。然而，软件的复杂程度使得只有专家才能使用这种建模功能。Flopack、Flotherm、Icepak和ISE等专用工具的好处是简化了创建模型和组合的过程。

　　在使用功率MOSFET时，系统级设计师需要了解这些器件的实际三维状况。MOSFET制造商拥有所有这些信息，但是如果把这些信息全部公开，就相当于公布了很多知识产权和技术秘密。因此，难题就在于既要以模型的方式提供这些信息，又不会透露器件的技术细节。

　　Vishay就利用这种方法开发了在线热仿真工具ThermaSim。设计所需的全部数据都被提取到复杂的模型中，然后设计者就可以直接利用模型，仿真各种应用和设计方案中的任何Vishay Siliconix的MOSFET。

　　为创建可用于ThermaSim的模型，Vishay使用了REBECA-3D，该平台可以让用户一步一步地构建出器件的3D模型。除此以外，REBECA-3D还可以把各种器件特性赋予结构中的各种元件，然后置入特定的“域”。当器件模型创建完之后，REBECA-3D会定义操作环境，包括PCB板的特征参数、器件在PCB板上的位置、电源外形和时间因子、环境温度、散热和气流的效果，以及电路板在系统内的方向(水平、垂直、右侧朝上或正面朝下)。REBECA-3D使用边界元方法，解决了传统数学方法的计算时间过长的问题，而计算时间与电子器件的几何比例因子有关。

　　简单来说，REBECA-3D没有把各种结构形态看做是实心的，软件从组成3D结构的8个面的视角去进行热分析。这种方法实现了高粒度的分析，同时允许使用边界元方法求解传导方程，包括非线性材料、稳态应用、无内部网格的方程。然而，用这种方法进行热仿真得到的数据，对系统设计来说已经是足够了。在其他情况下，瞬时的高功率幅值决定了模型和边界条件的临界值，这时甚至需要把内部网格也考虑在内。

　　Vishay公司的网站上提供了ThermaSim，这个易用、免费的网络热仿真工具可以和Vishay的在线MOSFET库一起使用。ThermaSim能在几分钟内提供热分析的结果，而且可以应客户的需要进行定制的改写。本文提供了一个特殊的例子，通过与实际测试结果的对比，对ThermaSim仿真进行*估。此外，本文还讨论目前ThermsSim版本的局限性，以及未来将如何改进。