PWM DC/DC转换器所用元件开关管

　　对开关管的要求是快速开通、快速关断，只有快速地进行状态转换才符合PWM DC/DC转换器的工作需要，才会使开关过程中的交叠损耗减小。 PWM DC/DC转换器常用的开关管有两种：一种是功率场效应管MOSFET；另一种是绝缘栅双极晶体管IGBT。

　　N型沟道MOSFET的电路图形符号及其结构如图所示。这是一种场控器件，各电极的作用类似于NPN型晶体管。漏极D相当于集电极C，源极S相当 于发射极E，栅极G相当于基极B。最显着的区别是：MOSFET管是电压控制式开关器件，栅一源之间只需几伏的电压（不需要静态电流），就可以控 制它的输出电压和输出电流。

　　如图 N型沟道MOSFET的电路图形符号及其结构

　　功率MOSFET的结构，是由大量细小的元包（如105个/cm2）（MOSFET单体）并联组成的，元包结构如图所示。采用新工艺的纵向（垂直）导电沟道型可以减小通态电阻。源极和漏极在沟道两侧扩散而成，用二氧化硅使栅极与沟道绝缘。

　　场控的原理是：栅极G与源极S之间外加控制电压时，产生电场控制，沟道变成与源极S和漏极D同样类型的半导体，就消去了PN结，使漏极D和源极S之间可以通过大电流。

　　晶体管部分多子器件，没有PN结的存储效应，开关速度快。

　　晶体管部分电流的方向，取决于外电路，正、负方向都可以通过电流。