半导体所硅光调制器研究获新进展

　　高性能处理器目前普遍采用多核并行处理的架构，其性能不仅取决于处理核心的性能和数量，也取决于处理核心之间的通信效率。随着片上集成的处理核心越来越多，多核处理器对片上网络通信带宽的要求越来越高，传统金属连线实现的片上网络因其高功耗、低带宽及高延迟逐渐成为多核处理器发展的瓶颈，光互连以其低功耗、高带宽与低延迟被广泛认为是一个非常有前景的替代方案。

　　光调制器是片上光互连的核心器件，其基本功能是实现信息从电域向光域的转换。中科院半导体研究所科研人员通过优化波导结构和反向PN结，获得具有高调制效率（VpL=1.26Vcm）的调制结构。通过优化设计获得了低传输损耗的共面波导电极，通过端接的方式降低电信号反射，采用差分驱动降低工作电压，在保证调制速率的前提下，显著降低了功耗。

　　半导体所科研人员研制出了调制速率为26Gb/s，消光比为9dB，驱动电压为0.5V，功耗为146fJ/bit的Mach-Zehnder硅光调制器，将载流子耗尽型Mach-Zehnder硅光调制器的功耗从国际上普遍的几个pJ/bit降低了一个数量级。

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