台湾第三代半导体新进展！太极子公司4吋半绝缘SiC衬底开始送样！

据最新消息，台湾太阳能厂商太极旗下盛新材料于昨日（8月9日）宣布，其 4吋半绝缘SiC衬底已送样验证，力争今年底量产。

目前盛新材料拥有16台长晶炉，其中1台和集团母公司广运共同研发成功的长晶炉，单月有效产量达400片。

SiC衬底进入量产前，须经过三阶段测试验证，通常为期一年时间，第一阶段为送样测试；第二阶段为试产；第三阶段则进入每月百片以上量产规模测试。且通常在进入第二阶段时，客户便会提前预定产能。

大尺寸SiC长晶技术方面，盛新已掌握6吋晶锭从热场模拟、材料、制程的扩晶技术，未来将直接切入6吋SiC衬底。

另一方面，台湾知名硅晶圆大厂环球晶圆的化合物半导体业务也在积极跟进，日前涉足SiC衬底和GaN外延片。

其SiC衬底集中在6吋导电型，目前月产能逾2,000片，年底会扩至5,000片；GaN-on-Si外延片月产能2,000片，以6吋产品为主；而在GaN-on-SiC外延片方面，因难度较高，目前以4吋片小批量出货。

值得注意的是，环球晶圆下半年将合并德国Siltronic，两者的GaN-on-Si技术或将深度融合。同时，此次收购后，预计环球晶圆将成为全球第二大硅晶圆厂，甚至有可能超过日本信越跃居第一。