适用于用于电信系统和POE网络应用程序的MOSFET

图1：AON7280和AON7290

使用专有的AOS AlphaMOS技术，AON7280的80V和100V AON7290提供超低RDS的27％和10％，比主要竞争对手，分别构建。的低导通电阻减小导通损耗，并允许器件工作在较低的温度下。这是不影响开关性能的两个设备提供最低的RDS * COSS的行业。这些解决方案被打包在绿色DFN3.3×3.3封装，电路板空间的关键应用提供电路设计的灵活性。

“在狭小的空间中构建高效的电源解决方案，设计人员在更小的 封装的高性能MOSFET中实现。”斯蒂芬说。在AOS的高级产品营销张经理说：“AON7280和AON7290结合了高密度AlphaMOS技术，具有结构紧凑DFN3.3×3.3封装，以满足设计师需求。“

AON7280技术要点

80V N沟道MOSFET
RDS <8.5毫欧（最大值）在VGS = 10V（最低在行业）
COSS = 265 pF的典型
QG（10V）= 26 NC（典型值）
最低RDS * Qg和数字的优点在市场上
最低RDS * COSS数字的优点在市场上
100％的Rg和UIS测试

AON7290技术要点

100V N沟道MOSFET
RDS <12.6毫欧最大VGS = 10V（最低在行业）
COSS = 175 pF的典型
QG（10V）= 26.5 NC（典型值）
最低RDS * COSS数字的优点在市场上
100％的Rg和UIS测试