英特尔公布全新节点命名方式，加速部署全新制程与先进封装

处理器大厂英特尔27日正式首次详尽揭露制程与封装技术最新蓝图，并宣布一系列半导体制程节点命名方式，为2025年之后产品注入动力。 除首次发布全新晶体管架构RibbonFET外，尚有称为PowerVia的业界首款背部供电方案。 英特尔强调迅速转往下一世代EUV工具的计划，称为高数值孔径（High NA）EUV。 英特尔有望获得业界首款 High NA EUV 量产工具。

英特尔表示，产业早已意识到，目前以纳米为基础的制程节点命名方式，并不符合自1997年起采用闸极长度为准的传统。 英特尔最新公布制程节点全新命名结构，创造清晰且一致性架构，给予客户更精确的制程节点认知。 新命名将10纳米SuperFin加强版正名为7纳米，7纳米正名为4纳米。 还首次宣布3纳米要在2023下半年投片量产，也公布2纳米/20A Angstrom埃米制程将在2024年量产，为高通产品代工。

英特尔指出将自4纳米制程全面使用极紫外光（EUV）微影技术，并自2022下半年准备量产，2023年出货。 随着英特尔成立Intel Foundry Services，重要性更胜以往。 执行长Pat Gelsinger表示，各种创新不仅开展英特尔产品路线规划，也对晶圆代工客户相当重要。

英特尔技术专家以新节点命名方式，详述未来制程与效能蓝图，以及各节点的创新技术：

Intel 7：基于FinFET（鳍式场效晶体管）优化，相较Intel 10纳米SuperFin每瓦效能可提升大约10%~15%。 Intel 7 将用在 2021 年 Alder Lake 客户端产品，以及 2022 年第一季量产 Sapphire Rapids 数据中心产品。

Intel 4：全面使用极紫外光（EUV）微影技术，透过超短波长光，印制极小形状。 伴随每瓦效能提升约20%，以及面积改进，Intel 4将于2022下半年准备量产，2023年开始出货，客户端Meteor Lake和数据中心Granite Rapids将率先采用。

Intel 3：汲取FinFET优化优势与提升EUV使用比例，以及更多面积改进，Intel 3相较Intel 4约提供18%每瓦效能成长幅度。 Intel 3 将于 2023 下半年开始生产。

Intel 20A：以 RibbonFET 和 PowerVia 突破性技术开创埃米（angstrom）时代。 RibbonFET为英特尔环绕式栅极（Gate All Around）晶体管成果，亦是2011年推出FinFET后，首次全新晶体管架构。 此技术于较小面积堆迭多鳍片，相同驱动电流提供更快晶体管开关速度。 PowerVia 为英特尔独特、业界首次实现的背部供电，藉由移除晶圆正面供电回路，以达最佳化讯号传递工作。 Intel 20A预计将于2024年逐步量产。 英特尔也很高兴公布高通（Qualcomm）将采用Intel 20A制程。

2025与未来：Intel 20A之后，改良自RibbonFET的Intel 18A进入开发阶段，预计2025年初问世，将为晶体管带来另一次重大性能提升。 英特尔正在定义、建立与布署下一代EUV工具，称为高数值孔径EUV，并有望获得业界首套量产工具。 英特尔正与ASML紧密合作，确保这项业界突破技术成功超越当代EUV。

英特尔强调，拥有基础制程创新的悠久历史，推动产业前进并破除限制。 90纳米领衔转换至应变硅，45纳米采用高介电常数金属闸极，22纳米导入鳍式场效晶体管，Intel 20A将是另一个制程技术分水岭，提供2个突破性创新：RibbonFET和PowerVia。

英特尔也说明新IDM 2.0策略，表示对实现摩尔定律优势而言，先进封装技术越来越重要。 英特尔宣布 AWS 将是第一个采用 IFS 封装解决方案的客户，并同步提供下列先进封装蓝图远见。 先进封装布局详细内容如下：

EMIB：2017 年产品出货开始，以首款 2.5D 嵌入式桥接解决方案持续引领产业。 Sapphire Rapids 将会是首款量产出货，具 EMIB （embedded multi-die interconnect bridge） 的 Intel Xeon 数据中心产品。 也是业界首款具备 4 个方块芯片的设备，提供等于单一芯片设计的效能。 Sapphire Rapids 之后，下一代 EMIB 将从 55 微米凸点间距降至 45 微米。

Foveros：汲取晶圆级封装能力优势，提供首款 3D 堆迭解决方案。 Meteor Lake 将是 Foveros 客户端产品实作的第二世代，具 36 微米凸点间距，芯片块横跨多种制程节点，热设计功耗 5~125 瓦。

Foveros Omni：采用芯片与芯片连结与模块化设计，提供不受限的灵活高效能 3D 堆迭技术。 Foveros Omni允许混合多个顶层芯片块与多个基底芯片块，以及横跨多种晶圆厂节点的分拆芯片（diedisaggregation）设计，预计2023年量产。

Foveros Direct：为降低互连电阻，改采直接铜对铜接合技术，模糊晶圆制造终点与封装起点的界线。 Foveros Direct 能达到低于 10 微米的凸点间距，提升 3D 堆迭一个等级互连密度，为原先认为无法达成的功能性芯片分割开启新页。 Foveros Direct 是Foveros Omni的补充技术，同样预计2023年问世。