虽有掺水嫌疑，但台积电5nm芯片依然最牛

众所周知,随着Digitimes近日发布了一份关于各大芯片厂商们在不同的工艺节点时的晶体管密度的分析报告,于是大家关于intel、三星、台积电的工艺制程就有了很多说法。

主要都是认为三星的工艺太假了,晶体管密度这么低,3nm还不如英特尔的7nm。还有人表示还是intel最清白,在严格遵守摩尔定律。

而关于台积电,大家也认为还是有一定的掺水、造假嫌疑的,虽然比三星要好一点,但和intel相比,晶体管密度还是低一些。

当然,晶体管密度不是判定工艺的唯一标准,只是参考,这个大家都是清楚的,虽然对比起来,不管是台积电,还是三星,较之intel的工艺,晶体管密度确实低了一些。但不可否认的是,目前台积电的5nm芯片工艺,依然是全球最牛,没有对手。

首先从对外宣称的工艺节点来看,英特尔还在10nm,台积电在5nm,三星在5nm,至于其它芯片厂商,都在10nm以上,所以很明显,台积电5nm与三星的5nm,是当前最先进的工艺了。

再结合晶体管密度,台积电的最新的5nm技术,能够实现的晶体管密度为1．73亿个每平方毫米;三星的最新的5nm技术,晶体管密度只能达到1．27亿个每平方毫米,逊色于台积电。

至于intel,现在还在10nm,能够实现的晶体管密度,还处于1．06亿个每平方毫米,所以很明显,台积电技术还是最强的。

事实上,从市场表现来看,也能够看得出来,台积电能够拿下55%的芯片代工市场,而三星只有17%左右,说明厂商们的眼睛是雪亮的。

另外在10nm以下的芯片生产中,台积电能够拿下92%的份额,而三星只能拿下10nm以下的8%的份额,这也足够说明大家在10nm以下工艺时,还是更认可台积电的技术,而不是三星的技术。