台积电3nm/2nm芯片路线图基本确定了

2018年,台积电、三星推出7nm芯片,开始领先intel。而到了2020年,台积电、三星进入了5nm,更是把intel远远的甩在身后,一举奠定了芯片代工(制造)的两强霸主地位。

而按照台积电、三星的规划,2022年就会推出3nm芯片,而到2024年左右,将会推出2nm芯片,从此全球再无对手。

而随着2022年越来越近,有关于3nm的芯片消息也是越来越多,台积电、三星也是展开了3nm的竞争。毕竟谁先推出,谁的技术更好,就有可能占领先机。

想当年在14nm FinFET技术时,三星领先了台积电推出14nm,而台积电是16nm,后来三星抢走了苹果的部分订单,就给台积电很大的压力。

而在3nm时代,三星又故伎重演,想采用GAA技术,领先于台积电的FinFET技术,甚至还想早于推出3nm技术。

而在三星的步步紧逼之下,台积电近日终于也说出了有关于3nm芯片的情况,也谈到了2nm,从台积电CEO魏哲家讲话内容来看,3nm、2nm路线基本上是定了。

按照台积电的说法,3nm会有两个版,一个是3nm 3 GAE低功耗版,会2022年初量产,但是交货给客户,可能会到2023年初去了,比预期的要晚半年左右,所以明年的苹果A16芯片,未定一定是3nm工艺。

这个低功耗版的3nm芯片,较5nm,晶体管密度增加70%,同等功耗下性能可提升10-15%,同等性能下功耗可降低25-30%。

3nm 3GAP高性能版2023年初量产,交货会到2023年下半年甚至2024年初去了。高性能版可以视为增强版,也就是第二代3nm工艺,会有更好的性能、功耗、良品率,同时设计和IP上完全兼容N3,2024年量产。

而2nm芯片,预计会在2025年量产,2nm芯片预计将采用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术,不会再采用当前的FinFET技术了。

当然,在芯片没有交付之前,一切都是计划,而有时候计划赶不上变化,所以最终如何,还是让时间来证明了。