MOS管驱动电路

MOS管相比三极管来讲，具有更低的导通内阻，在驱动大功率的负载时，发热量就会小很多。MOS管的驱动与三极管有一个比较大的区别，MOS管是电压驱动型的元件，如果驱动电压达不到要求，MOS就会不完全导通，内阻变大而造成过热。

MOS管驱动电路

MOS管分为N沟道与P沟道两种，N沟道用于电源负极的控制，P沟道用于电源正极的控制，两者直接的控制信号电压也存在区别。对于NMOS来讲，当栅极与源极的电压超过一定电压阈值的之后就会导通，PMOS与之相反。

NMOS与PMOS还有一点比较大的区别，NMOS的导通内阻一般比PMOS要小一些，并且制造成本性对较低，所以在功率较大的控制场合，一般会选用NMOS，当然也要根据控制电路的逻辑关系进行选择。以NMOS为例，当Vgs大于最小控制电压阈值时，MOS管会导通，但是其导通内阻无法达到最小设计值，所以想要保证其导通内阻，就要有足够的控制驱动电压。

上图是常用N沟道MOS管AO4468参数手册中给出的导通内阻参考值，当控制电压4.5V的时候，导通内阻小于22mΩ;控制电压10V时，导通内阻小于14mΩ，从这个参数上能够看出，不同的驱动电压下，导通内阻是存在一定差别的。

单片机如何驱动MOS管

常用的单片机一般分为5V单片机与3V单片机，单片机的IO口输出的高电平电压最高是可以接近电源电压的，但会比电源电压小一些。由于三极管是电流驱动型的元件，所以不需要太高的驱动电压就可以饱和导通，而对于MOS管来讲，根据不同型号参数的，导通电压会有差别，单片机IO能够输出的电压，对于大部分的MOS管来讲是达不到其导通条件的。

所以在单片机驱动MOS的电路中，通常会采用三极管作为前级驱动，由电源电压驱动MOS管开启，有些开启电压较高的MOS管，还会提高驱动电压，而不使用单片机的5V供电，比如12V、15V等等。

所以单片机不能直接驱动MOS管的主要原因是驱动能力的问题，单片机的IO输出的电压达不到MOS管的导通条件，或者达不到饱和导通的条件。