华为哈勃入股天域半导体，再加码碳化硅SiC外延领域！

7月1日，据启信宝消息显示，东莞市天域半导体科技有限公司（以下简称“天域半导体”）发生了工商变更，新增股东华为哈勃。

同时，天域半导体的注册资本由9027.0527万元变更为9770.4638万元。

华为哈勃自成立以来，在半导体领域的扩张势不可挡。据不完全统计，至今，华为哈勃投资芯片公司超30家，遍布半导体产业上下游，涉及芯片设计、EDA、测试、封装、材料和设备等环节。

其中，第三代半导体相关企业就占了8家之多，其中多家为我国碳化硅（SiC）重点企业，如山东天岳，天科合达，瀚天天成以及天域半导体，涉及外延和衬底领域。

值得注意的是，华为投资的企业技术均为自主研发，在各自细分领域具有一定程度的影响力。

天域半导体成立于2009年，坐落在中国第三代半导体南方重镇——东莞。是中国首家专业从事第三代半导体SiC外延晶片研发、生产和销售的国家高新技术企业，同时，也是中国第一家碳化硅半导体材料供应链的企业获得汽车质量认证(IATF 16949) 。

 2010年，天域半导体与中国科学院半导体研究所合作，共同创建了碳化硅研究所。目前，天域在中国拥有最多的碳化硅外延炉-CVD，月产能 5000件。 可提供 n-型 和 p-型 掺杂外延材料、制作肖特基二极管、JFETs、BJTs、MOSFETs，GTOs 和 IGBTs等产品。