揭秘内存大涨价背后的阳谋与阴谋：联合串通or供不应求？

此外，受DDR4内存涨价影响，DDR3内存也开始死灰复燃。4GB内存价格达到了329元，8GB内存价格涨至699元。

业内人士分析，内存价格上涨趋势短期不会缓解，起码要延续2018年。前段时间SSD涨价消费者暂时可以选择机械硬盘，可内存却无可替代。

关于内存涨价的原因，相关人士表示：各品牌手机出货量在2017下半年达到高潮，目前各大旗舰机的RAM也都是6G起步，8G标配，面对这僧多粥少的局面，内存在今年迎来暴涨也就不足为奇了。

这两年中智能手机为了吸引用户不断推高配置，内存从之前的2-3GB快速增加到4-6GB，旗舰机甚至上了8GB内存，而闪存容量也从之前的16GB、32GB变成了64GB起，高端点的甚至上了128GB、256GB存储。

不只是安卓阵营如此，苹果的iPhone、iPad也是如此，手机内存上了2GB、3GB，iPad Pro内存大幅提升到4GB，存储容量也是64GB、128GB以及256GB，今年的iPhone 8及iPhone X更狠，直接就是64GB、256GB两种容量，128GB的都给取消了。

考虑到苹果iPhone手机每年2亿多的销量，存储容量这样翻倍成长，对整个市场需求的影响是非常大的，而国产厂商也纷纷加入竞争中，中低端手机内存、闪存容量都在大幅成长，3+32GB都是入门低配了。

移动市场是这一轮闪存、内存涨价的主要诱因，再加上服务器、数据中心市场的内存、SSD销量也在增加，整个存储芯片市场的需求是逆势上扬，PC市场虽然下滑，但是改变不了大趋势，毕竟移动设备的销量早已超过PC市场，所以说PC内存涨价很大程度上是遭受了池鱼之殃。

2016年三星、美光、SK Hynix、东芝等厂商面临着技术升级——内存转向20nm以下制程、闪存也从2D闪存转向3D闪存，并不断提升堆栈层数，但是这个过程并不顺利，导致厂商的产能并没有快速提升。

以内存为例，三星是最早量产20nm工艺，去年初又宣布了18nm工艺，正常计划是在2016年底量产，不过18nm工艺进展不如预期，早前还传出了18nm内存芯片良率不行，被紧急召回的消息，尽管三星官方予以否认。

但是这事依然给新工艺转换蒙上了阴影。除了三星，SK Hynix、美光因为资金、技术实力不如三星，20nm、18nm工艺转换过程比三星更为艰难。

对于存储芯片涨价，还有一个不容忽视的因素，本来它只是小概率事件，正常时候绝不会影响大局，但是现在也变得非常敏感了，这就是工厂意外。

当年SK Hynix无锡大火、泰国洪灾影响了内存、硬盘价格走势，这一幕在今天也不时出现，代表的就有三星西安NAND工厂的停电、美光台湾工厂的氮气污染、东芝10万片晶圆报废等等。这些事故放在平时不会有多大影响，但在当前局面下，一丁点的事故都有可能被人利用，成为缺货、涨价的借口，而普通人对此又无力反驳，只能接受挨宰。

数据显示，DRAM市场已经完全被排名前三的厂家三星、SK海力士、美光统治，2017年第三季度三家市占率加起来有95%。而这其中三星占有绝对的领先地位，去年年底市场份额就达到了64.5%。

作为全球最大的内存芯片供应商，三星的股价在上周三午盘突破了270万韩元。两天之后，该公司将发布第三季度业绩初步报告，看好的国外投资者纷纷提前买入其股票。

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根据市场数据，这是三星股价自上市以来首次突破这一水平，而其市值也达到了353.2万亿韩元（约合人民币20516亿元）。当季来自半导体部门的运营利润预计将为10.5万亿韩元，占其总运营利润的73%。

 

三星今年6月份在韩国平泽市启用了号称全球最大的闪存工厂，这是2015年就定下的125亿美元投资的一部分，主要生产64层堆栈3D闪存，今年下半年正在加速量产。

美光在去年收购华亚科之后也承诺增加对台湾的投资，预计每年投资20亿美元，要把台湾工厂打造成全球内存芯片制造中心，制程工艺也会从目前的25nm逐步提升到1xnm工艺。

SK Hynix今年初也宣布了新的投资计划，其内存芯片的主产地是在中国无锡，占了全球内存芯片15%的产能，去年底投资9500亿韩元升级车间，今年则会投资36亿美元建设第二工厂。

intel公司2015年也宣布在中国大连投资55亿美元建设闪存工厂，去年工厂建设基本完工，开始试产3D NAND闪存。

可以说全球主要的内存、闪存厂商这一两年都宣布了新的工厂扩建计划，考虑到建设一座12英寸晶圆厂需要2-3年时间，那么大部分工厂会在2018年投产，从而缓解市场需求。