PCIM Asia最佳报告《全碳化硅模块应用的驱动方案》

近些年，硅基半导体已经越来越接近材料的物理极限，我们虽不敢断言未来硅基半导体难再突破，但是从学术端和企业研发释放的信号来看，硅基半导体的潜力确实有限了，未来突破的方向将愈发收窄。

基于这样的大背景，并且随着工业、汽车等市场需求的增加，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料的重要性与优越性逐渐凸显出来。以汽车领域为例，由于SiC器件能够实现更高效率和频率，同时器件体积大幅度下降，SiC器件对于IGBT取代的呼声越来越高。

在中国领先的电力电子、智能运动、可再生能源及能源管理展览会暨研讨会——上海国际电力元件、可再生能源管理展览会（PCIM Asia）上，PI高级应用工程师王皓与大家分享了题为《全碳化硅模块应用的驱动方案》的技术报告。

【图为王皓在PCIM Asia国际研讨会上发言】