竣工，试产！湖南三安，北京第三代半导体项目新进展

近年来，以碳化硅、氮化镓为首的第三代半导体稳步发展，驶入“快车道”，各地第三代半导体相关政策和项目备受瞩目近日，长沙三安第三代半导体项目，北京第三代半导体材料及应用联合创新基地项目传来新进展。

今日，据证券时报消息，三安光电湖南项目预计明日一期投产，进行设备点亮。

湖南三安半导体项目于2020年7月正式开工，项目总投资160亿元，总占地面积1000亩，项目主要建设包括但不限于碳化硅（SiC）等化合物第三代半导体的研发及产业化。

项目包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，研发、生产及销售6英寸SiC导电衬底、4英寸半绝缘衬底、SiC二极管外延、SiC MOSFET外延、SiC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET等。

此前一日，三安光电在公共平台回复投资者提问，表示项目购买的设备正陆续到厂，预计二季度试产运行。

近日，位于北京的第三代半导体材料及应用联合创新基地建设项目，完成竣工验收。

据悉，该创新基地将围绕光电子、电力电子、微波射频三大应用领域，建设第三代半导体工艺、封装测试、可靠性检测和科技服务4大基础平台。

其中，基地1生产实验厂房主要用来做芯片设计、工艺开发、孵化服务、会议展览等业务，孵化和加速面积达到1万平以上，将创造1000个以上的就业岗位，每年产值超100亿元。

基地2生产实验厂房主要用来半导体工艺加工、封装测试、检验检测等业务，主要产品为第三代半导体核心芯片，包括氮化镓射频功放和碳化硅电力电子芯片、器件和模块，产品已应用到5G移动通信基站、充电桩中。

据此前中关村顺义园报道，这是国内首个聚集全产业链的三代半创新基地。