台积电和FinFET时代

台积电对 FinFET 采取了不同的方法。在掌握了 20nm 的双重成像技术之后，台积电在16nm制程上采用了FinFET，密度小于Intel 14nm。三星 14nm 与台积电 16nm 的密度相似，但三星却假装自己能与英特尔竞争。这就是为什么流程节点现在是营销术语，我认为。

这一切都始于我所说的苹果半步过程开发方法。台积电每年都会为苹果公司推出新的工艺版本。在此之前，过程就像美酒，只有在符合摩尔定律的前提下才会被打开。TSMC继续在HVM (7nm)工艺中添加部分EUV层，然后以非常可控的方式将更多的EUV层添加到5nm和3nm，从而实现卓越的良率学习和打破记录的工艺斜坡。

Intel 14nm也是“Intelvs TSMC”营销战开始的时候。英特尔坚持认为台积电 20nm 是失败的，因为它不包括 FinFET，代工厂不能跟随英特尔，因为他们是 IDM，而台积电只是一家没有内部设计经验的代工厂。

正如我们现在所知，英特尔在很多方面都错了。首先，代工业务是一项服务业务，有一个庞大的合作生态系统，这使IDM代工厂处于明显的劣势。看看英特尔IDM 2.0战略的结果将是有趣的，但大多数人猜测它将比以前的尝试更加失败

现在让我们快速看一看台积电FinFET流程收入从2019年第一季度开始以及随后几年的第一季度对比: