瞄准台积电！三星首秀3D 封装技术，可用于7纳米制程

三星电子成功研发3D 晶圆封装技术「X-Cube」，宣称此种垂直堆叠的封装方法，可用于7 纳米制程，能提高晶圆代工能力，要借此和业界领袖台积电一较高下。

三星官网13日新闻稿称，三星3D IC封装技术X-Cube，采用硅穿孔科技（through-silicon Via，TSV），能让速度和能效大跃进，以协助解决新一代应用程式严苛的表现需求，如5G、人工智能（AI）、高性能运算、移动和可穿戴装置等。

三星晶圆代工市场策略的资深副总Moonsoo Kang 说：「三星的新3D 整合技术，确保TSV 在先进的极紫外光（EUV）制程节点时，也能稳定联通」。有了X-Cube，IC 设计师打造符合自身需求的客制化解决方案时，将有更多弹性。X-Cube 的测试芯片，以7 纳米制程为基础，使用TSV 技术在逻辑晶粒（logic die）堆叠SRAM，可释放更多空间、塞入更多存储器。