刘鹤将主持中国第三代半导体发展工作，助本土厂商突破美国技术封锁

周四（6月17日），彭博社(Bloomberg)援引消息人士的说法报导，中国经济政策的主要决策者、副总理刘鹤将主持第三代半导体发展的推进工作，并负责制定相关的政策支持，以帮助国内芯片厂商在美国制裁之下突围，确保实现芯片制造的自给自足。

彭博援引一位未透露姓名的消息人士称，刘鹤还将监督那些可能给传统半导体产业带来潜在颠覆性技术的项目。刘鹤在2018年成为国务院副总理，随后出任国务院金融稳定发展委员会主任，以及由中国国务院总理李克强领导的中国科技改革任务小组副组长。

今年5月，刘鹤还主持召开了科技任务工作小组会议，讨论发展下一代半导体技术的方法。一名消息人士透露，刘鹤目前正监督一系列计划，可能让传统的半导体制造出现突破，包括发展中国自主可控的芯片设计软件（EDA）和极紫外光（EUV）光刻机。

据彭博报导，根据这项技术提案，中国政府已经提列了约1万亿美元资金，其中部分资金将用于中央和地方政府共同投资的一系列第三代半导体项目。

为什么是第三代半导体？

第三代半导体也称为宽禁带半导体，不同于传统的半导体主要赖硅晶圆，它在材料层面上实现了更新。而与第一代、第二代半导体并非替代关系，而是形成互补，三者特性各异、用途不同。

具体来看，第一代半导体材料以硅（Si）和锗（Ge）为主，是CPU处理器等集成电路主要运用的材料；第二代半导体包括砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等，目前手机所使用的关键通信芯片都采用这类材料制作。

第三代半导体材料主要是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。在通信、汽车、高铁、卫星通信、航空航天等应用场景中有优势。其中，碳化硅、氮化镓的研究和发展更为成熟。

目前还没有企业或国家在第三代半导体领域占据主导地位，这是一个避开美国及其盟友针对中国芯片制造行业设置的障碍的良机，也是个弯道超车的好机会。

第三代半导体的火热，除了打造自主产业链、突破“卡脖子”的迫切需求外，还有来自应用场景的大量需求。在国内新基建的推动之下，5G通信、新能源汽车、航空航天等领域成为新的增长点，对于新材料的使用量也进入新爆发期。

根据《第三代半导体产业发展报告（2020）》的统计数据，2020年，我国第三代半导体整体产值超过7100亿，其中电力电子及微波射频持续增长。

电力电子应用上，在新能源汽车应用的强力带动下，2020年国内碳化硅、氮化镓电力电子器件市场规模较上年同比增长90%。同时，2020年，PD快充市场爆发，国内手机厂商和电商共推出数十款氮化镓快充新品，同时笔电厂商也陆续进入。

射频应用方面，5G基站建设是关键驱动力量。2020年三大运营商宣布共完成80万座5G基站建设，带动国内氮化镓微波射频器件市场需求较上年同比增57.2%。

光电子应用方面，Mini-LED规模商业化应用已经开启，未来将进入家庭场景；Micro LED关键技术持续突破，但规模产业化应用尚需时日；新冠疫情的暴发为紫外LED行业创造了动力，“十四五”期间年均复合增长率有望达到41%。

国外仍占市场主力，国内如火如荼

近年来在市场驱动下，国内专注第三代半导体的新兴企业纷纷强化布局，如天科合达、同光晶体、纳维科技、泰科天润、中电科55所、三安光电等纷纷进行扩产。与此同时，传统半导体企业也在积极布局第三代半导体，代表企业有华润微、闻泰科技、斯达半导体、比亚迪、赛微电子等。

据亚化咨询不完全统计，近几年国内布局第三代半导体产业的企业超过百家，仅2021年5月签约的第三代半导体相关项目就将近5个。

不过相比国外企业，国内的第三代半导体仍有差距，并且国产化水平较低，存在低水平重复建设现象。据市场调研机构Yole数据显示：

• Cree | Wolfspeed、ROHM、Infineon、Mitsubishi和ST五家企业合计占有碳化硅功率半导体80%的市场份额
• EPC、Transphorm、GaN system、Infineon四家企业合计占有氮化镓功率半导体90%的市场份额
• 住友电工、Cree | Wolfspeed和Qorvo三家企业合计占有氮化镓射频85%的市场份额。

这则新闻在约下午1时发布后，受此消息激励，17日下午A股第三代半导体概念股士气大振，股价飙涨。

中国国务院和工业和信息化部暂时没有官方回应。