5G时代，英飞凌宽带隙半导体将电源供应器推上更高功率密度

5G 时代对于电源供应提出了更高、更广泛的要求。我们既需要针对高频应用的高功率、低能耗的电源供应器，也需要小体积、轻重量但高性能的中低功率电源供应器。迈向新世界的关键是使用新材料，比如宽带隙半导体，这些材料可以实现更高的功率密度、更小的尺寸、更轻的重量、更低的总体成本——或者同时实现上述所有优点。

英飞凌是目前唯一一家提供硅 (Si)、碳化硅 (SiC)、绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 和氮化镓(GaN) 器件的公司。这一独特地位使其成为所有领域客户的首选。

碳化硅（SiC）

与硅相比，碳化硅(SiC)具有 3 电子伏特(eV)的宽带隙和更高的导热率。基于SiC的 MOSFET 最适用于高击穿、高功率的高频应用。与硅相比，诸如 RDS(on) 等器件参数随温度的变化较小。这使设计人员能够在设计中实现更小的极限，从而实现更高的性能。基于成熟的高质量批量生产，英飞凌 CoolSiC™ 解决方案将革命性技术与标准可靠性相结合，为客户目前和未来的成功提供支持。

氮化镓（GaN）

比 SiC 具有更高的带隙（3.4 电子伏特）和更高的电子迁移率。与硅 (Si) 相比，其击穿场强度高出十倍，电子迁移率提高一倍。输出电荷和栅极电荷都比硅 (Si) 低十倍，反向恢复电荷几乎为零，这对于高频操作至关重要。GaN 是现代谐振拓扑中的首选技术，可实现并支持新方法，包括新拓扑和电流调制。英飞凌的 GaN 解决方案基于市场上最稳健和性能最好的概念——增强型 (e-mode) 概念，可提供快速的开关速度。CoolGaN™ 氮化镓产品专注于高性能和稳健性，为许多应用（如服务器、电信、无线充电、适配器和充电器及音频）中的各种系统增加了重要价值。CoolGaN™ 开关简单易用，易于采用英飞凌专用的 GaN EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 进行设计。