0.11微米eFlash制程量产触控IC 联电抢到业界第一

晶圆代工联电(2303)率先采用业界第一个0.11微米eFlash制程量产触控IC，以8寸晶圆制造，采纯铝后段技术，有效降低一次性费用降低客户成本，因应次世代触控控制器及物联网应用产品制程需求。

联电表示，该技术于2012年底推出，为晶圆业界第一个结合12V与纯铝后段(BEoL)制程，以因应次世代触控控制器及物联网应用产品的需求。在整合更高密度嵌入式快闪记忆体与SRAM，以便用于各尺寸触控萤幕产品的微控制器时，0.11微米制程可提供比0.18微米制程更小更快的逻辑元件，并可达到更高效能。

联电市场行销处资深处长黄克勤表示，触控面板已是现今电子产品主流的操作介面。联电触控平台解决方案其中重要特点，就是0.11微米eFlash解决方案，包含了可提供晶片设计公司的专有快闪记忆体macro设计服务。并藉由结合铝后段制程来提供最佳成本效益，服务高度竞争的触控IC市场。

此外，12V可满足现今更大尺寸触控萤幕，与浏览网页时在触控萤幕上悬浮触控(hover)应用的高信噪比需求。该技术与现今广泛采用的3.3V解决方案相比，信噪比可改善超过3倍，可驱动晶片设计公司创造新世代更先进的触控产品。

联电目前有超过30家生产中的触控客户，每月出货量逾4000万颗IC。0.11微米制程以8寸晶圆制造，并采用纯铝后段技术，使触控晶片设计公司能够享有更低的一次性费用与相关成本，以提高市场竞争力。另外，联电同时提供自行研发的快闪记忆体矽智财，协助加速产品上市时程并促进客制化。