主要半导体厂商赴陆设厂 韩国唯恐技术外流

陆续传出全球代表性半导体业者决定前往大陆设立生产基地，尽管有技术外流的风险，但面对全球最大的消费市场招手，业者仍决定冒险一试。由于每年大陆的半导体进口规模比进口石油还高，让大陆政府欲积极发展半导体产业以提高自给率。如今领导业者的建厂计划无疑是提升大陆自给率的最佳时机，长期而言还有机会取得技术。

据韩媒ET News报导，日前排名第二的IC制造业者格罗方德(GlobalFoundries)决定与重庆市政府合作，在当地兴建12吋(300mm)晶圆厂。重庆市政府提供土地与建物，格罗方德负责设备与技术部分，但双方的持分比例与投资金额等资讯并未公布。预计2017年起投产130~40纳米逻辑、模拟、混合信号芯片等。业界认为，该工厂初期量产规模以每月投入晶圆为基准约1.5万片。格罗方德则计划将新加坡Fab 7工厂使用的技术移转到即将新建的大陆重庆工厂。

先前台积电也曾发表到南京的建厂计划，规划兴建12吋晶圆厂，投产时间定在2018年，生产16纳米FinFET芯片。从台积电最新的技术地图(Roadmap)来看，2018年最新制程应为10纳米或7纳米技术，因此用于南京工厂的技术约落后两个世代左右，原因应是考虑技术外流问题。

如今格罗方德也决定在重庆建厂，并采用130~40纳米，而非最先进的10纳米级FinFET制程，业界认为应也是考虑技术可能外流所做的决定。

在存储器领域，两大韩厂早已在大陆工厂使用最新技术进行生产。三星电子(Samsung Electronics)在西安工厂生产3D NAND Flash存储器，SK海力士(SK Hynix)在无锡工厂也几乎与韩国利川工厂同步，使用相同的先进制程量产DRAM。

全球最大的半导体业者英特尔(Intel)同样也前进大陆，2015年宣布要将位于大连的系统半导体厂房转换为存储器生产工厂，计划投资约6.2兆韩元(约52.28亿美元)，目标在2016年下半投产3D NAND Flash存储器。

力晶科技则决定与合肥市政府合资兴建12吋晶圆半导体厂，合作方式为合肥市政府负责出资，力晶提供技术。如此一来，形同将生产技术全面交给大陆。

韩国业界认为力晶的技术约落后韩厂4~5年左右，但若有大陆政府的雄厚资金挹注，也将产生极大威胁。若韩厂研发更先进的DRAM制程稍微放慢脚步或遭遇瓶颈，未来很快就会被大陆追上。

业界认为，三星、SK海力士、台积电、英特尔等半导体领导业者在大陆的建厂计划并非合资型态，技术流出的风险较低。但格罗方德与力晶以提供技术的方式与大陆合作，将间接扶植大陆的技术竞争力，为大陆半导体产业崛起助一臂之力。

但也有另一派业界人士认为，存储器领域并非儿戏，许多有意前进大陆发展的美国、日本、德国半导体业者铩羽而归，目前大陆政府的出资来自地方，投资不如由中央政府主导的集中，或许反而能成为韩国业者成长茁壮的机会。