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据报道， 长 鑫 存储 DDR 5 芯片因生产 良 率 提升，整体供应状况已显著改善。资料显示， 长 鑫 17nm DDR 5 良 率 已 突破 90 %，与三星同代产品92%至93%的 良 率 水平仅差2到3个百分点。

来源：芯极速

长 鑫 暂未证实此传言，但其官网上已宣布LPDDR 5 系列进军移动终端市场。据韩媒报道， 长 鑫 的 DDR 5 良 率 约80%，与韩国晶圆厂对手相近，显示其技术能力不俗。

来源：ictimes

报道称，目前合肥 长 鑫 的17nm工艺 DDR 5 内存芯片 良 率 已经达到了40%，预计在今年二季度试产，出样片给到客户。虽然目前40%的 良 率 较低，不过长 鑫 存储将会在接下来的时间里持续改进 良 率 。

来源：百家号

2022 年， 长 鑫 存储迈入 G3 制程量产阶段，如今正全力迈向 G4 制程，其 2025 年新增产能将精准锚定 LPDDR 5 及 DDR 5 市场，聚焦服务器与智能手机领域。

来源：万德丰

近日， 长 鑫 存储首次公开展示了 DDR 5 和LPDDR 5 X两大产品线的最新产品。

来源：芯极速

目前， 长 鑫 存储生产的HBM及 DDR 5 等产品主要依托传统工艺制造，在芯片性能与 良 率 方面与三星电子存在显著差距。

来源：赵辉

长 鑫 存储在2024年成功量产 DDR 5 DRAM后，通过光罩修改优化（解决初期宽温及散热问题）后，2025年下半年平均 良 率 已 突破 80%，接近市场主流规格标准。

来源：芯极速

近期盛传 长 鑫 存储量产的 DDR 5 也可能面临 良 率 问题，且在美国限制下，中国业者难以引进先进设备，双方技术及成本差距可能进一步拉大。