近日，NEO Semiconductor正式推出全球首款专为AI芯片设计的超高带宽内存（X-HBM）架构，为内存技术带来重大突破。

据悉，X-HBM基于NEO专有的3D X-DRAM架构，成功解决了长期困扰行业的带宽与密度问题。与目前仍在开发中的HBM5相比，X-HBM表现出显著优势。据韩国科学技术院(KAIST)的研究预测，预计于2030年左右问世的HBM5仅支持4K位数据总线和每芯片40Gbit的容量，而2040年左右上市的HBM8也仅能提供16K位总线和每芯片80Gbit的容量。相比之下，X-HBM实现了32K位总线和每芯片512Gbit的存储容量，带宽提升16倍，密度提高10倍。

NEO Semiconductor表示，X-HBM专为生成式AI和高性能计算需求设计，其单芯片高达512Gbit的存储容量，以及32Kbit数据总线，为AI芯片设计人员提供了突破传统HBM技术瓶颈的全新解决方案。这一创新将显著提升AI芯片的性能表现，满足未来技术发展的高要求。