传三星平泽厂将大扩产 NAND惨DRAM也不妙？

摩根士丹利看淡NAND flash价格，引爆内存的庞大卖压。 部份分析师强调，DRAM价格仍稳，内存业情况不会太糟。 然而，韩国消息透露，三星电子也许有意在南韩平泽(Pyeongtaek)厂大幅增产DRAM，要是消息为真，将再次重创内存业。

韩媒etnews 4日报导(见此)，三星平泽厂区的半导体一号厂，共有两层楼。 据称二楼无尘室建造进入最后阶段，三星订购首批3D NAND flash设备，估计初期产能为每月1万组。

半导体一号厂的一楼设有餐厅和办公室等，剩余空间较少，每月只能生产10万组芯片。 二楼空间较多，每月可生产20万组芯片。 二楼分为东西两翼，东翼预定生产7万组3D NAND flash和3万组DRAM、西翼预定生产10万组DRAM，三星不久后应会下单采购DRAM设备。

报导称，要是三星加快投资脚步，并决定把二楼多用于生产DRAM，DRAM可能供过于求，价格由涨转跌。 业界人士说，内存价格取决于三星投资速度;不仅如此，三星的西安厂可能也会投资增产(应为NAND flash)，料于2018年底或2019年启动。

此一消息也许不利美光。 大摩分析师之前表示，尽管NAND flash价格走低，DRAM仍是亮点，将支撑美光股价。 巴伦(Barronˋs)1日报导，大摩分析师Joseph Moore报告称，NAND在美光营运比重占不到1/3，大摩坚守NAND价格将跌的看法，但是由于DRAM价格持稳，美光仍有可观的盈余成长空间，近来拉回是进场机会。