格罗方德7纳米测试良率达65% 未来将积极布局中国市场

因竞争对手台积电、三星陆续在2018年挺进7纳米先进制程，格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)日前也宣布，该公司的7纳米制程不但在测试良率已提升到65%，未来将按照时程使用EUV技术的商用和普及，并与客户AMD展开合作。根据格罗方德先前公布，7纳米制程将在2018年推出，并在年底量产。

根据格罗方德全球销售和业务发展高级副总裁Mike Cadigan日前在中国上海举办的GTC技术大会演讲表示，随着5G即将开始商用，资料传输的速度越来越高，手机需要满足高速且大量的资料传输，需要不同以往的射频元件。在高性能运算需求方面，格罗方德将提供FinFET制程，从14LPP到12LP，再到7LP等各节点的制程技术。

格罗方德首席技术长兼全球研发高级副总裁Gary Patton指出，目前7纳米制程的7LP EUV技术已有积极进展。7纳米LP制程预期将比14纳米制程效能提升40%、功耗降低60%。目前，7纳米测试良率已经提高到65%，将按计划进行EUV技术的商用和普及，并且与客户AMD合作。

Gary Patton坦言，在EUV技术上，格罗方德的7纳米制程确实面临很多挑战，包括如何进一步提升良率、光罩防尘膜瑕疵等问题，必须努力克服才能投入大规模量产，目标是将良率提高到95%。格罗方德目前采取分阶段采用EUV技术的策略，第一阶段将不采用光罩防尘膜(pellicle)，第二阶段才会使用。

除了先进制程，传统的成熟制程一般很难满足所有应用的要求，物联网(IOT)对低功耗的要求更高，因此低功耗高性价比要求的应用，格罗方德也针对物联网、移动通信、射频芯片提供22FDX、12FDX等制程解决方案。

Gary Patton指出，目前格罗方德20、22纳米已进入量产准备阶段，且2018年底前已有15个设计定案，并陆续有135家客户展开初期接触。他指出，目前12FDX性能已经90%达到目标，预计2018年下半年进入试产，2019年上半年正式量产。

格罗方德在中国的布局方面，受瞩目的成都晶圆厂Fab 11(11厂)厂房施工建设历时8个多月，一期厂房即将于11月初封顶，项目进展十分顺利。预计在2018年完工时，将成为中国境内最大的晶圆厂，并成为中国最先进12寸晶圆厂之一。同时，Fab 11也将成为格罗方德22FDX制程的生产中心。

预计先期Fab 11会以生产0.13微米到0.18微米的主流成熟技术产品为主，每月产能为20,000片。到2019年下半年，将进行高度差异化的22FDX(FD-SOI)制程量产，届时产量将提高至每月65,000片。