三星电子第三代10纳米级DRAM开发成功

三星电子于21日发表，成功开发出第三代10纳米级(1z)8GbDDR4DRAM，预计下半年量产。

据《ZDNetKorea》报导，三星电子表示，在二代10纳米级(1y)DRAM量产后，相隔16个月成功开发出10纳米级(1z)DRAM，并成功克服史上细微工艺的极限。

特别的是，10纳米级(1z)DRAM的开发过程中，三星电子并没有使用每台价值1千亿韩元以上的极紫外线(EUV)装备，这也证明三星电子拥有优秀的工艺技术，与现有的10纳米级(1y)DRAM相比，10纳米级(1z)DRAM的生产效率提高20%以上。EUV(ExtremeUltraviolet的略称)是在半导体上绘制电路时所需的微影技术，能协助制造商发展更精细的制程。

三星电子计划在下半年量产10纳米级(1z)DRAM，并在明年进一步供应全新一代DRAM(DDR5、LDDDR5等)，并采取积极与大企业合作，通过合力开发新系统的方式，加快全球市场换新设备。

DRAM能应用于智能手机、桌电、笔电、服务器以及电视等多元设备上，是一种存储器半导体。DRAM芯片上能储存、控制数亿的存储单元(cell)，8Gb代表着能控制80亿以上的存储单元。DDR则指数据处理速度，根据DRAM处理速度分级，DDR后面的数字越大，就代表处理速度越快。

纳米级则是代表镭射于DRAM芯片的电路大小，纳米级水平中还有再分阶段，从x的后段制程，发展至中段y制程，再来发展至前段的z制程。这次开发成功的10纳米级(1z)就是指10纳米工艺接近前段水平。

此次发表的10纳米(1z)DRAM计算机用DDR4模块，已经获得获得全球PC厂商的评估认证，预计能正式扩大全球客户需求。