三安高端半导体项目：5月份氮化镓、砷化镓项目开始试产

作为落户“泉州芯谷”南安分园区的首个百亿元龙头项目，三安高端半导体项目前不久被列为闽西南协同发展区2019年重大项目，近期，又迎来了试桩一周年。

三安高端半导体系列项目投资总额333亿元，包括高端氮化镓LED衬底、外延、芯片的研发与制造产业化项目，高端砷化镓LED外延、芯片的研发与制造产业化项目，大功率氮化镓激光器的研发与制造产业化项目等七大产业集群，预计将成为国际上具备规模化生产、研发化合物半导体芯片能力的企业。

2017年12月26日该项目被引进泉州芯谷南安分园区，计划5年内实现投产，7年内全部项目达产。2018年3月26日，该项目开始入场施工，打下第一根桩。

目前，项目一期规划建设125万㎡厂房，开工建设约100万㎡，封顶70万㎡。其中，即将试产的7个主车间开始洁净装修，至今已完90%以上;动力辅助约10万㎡基本建成，并开始设备安装，主要生产设备、生产辅助设备、工程设备等都已开始采购订货，预计2019年5月份氮化镓、砷化镓项目开始试产。