三星量产第2代10纳米FinFET制程 产品明年首季问世

韩国科技大厂三星电子于29日宣布，已经开始大规模量产以第2代10纳米(nm)FinFET制程技术(10LPP)为基础的单芯片系统(SoC)产品，其搭配该单芯片系统的电子产品，也预计将在2018年首季问市。

三星表示，针对低功号产品所研发的第2代10纳米(nm)FinFET制程技术(10LPP)，相较于第1代10纳米(nm)FinFET制程技术(10LPE)，10LPP的制程可使性能提高10%，功耗降低15%。而且，由于该制程是延续于已经量产中的10LPE制程，所以将可以大幅缩短从开发到大量生产的准备时间，并提供更高的初期生产良率，因此更具有市场竞争优势。

三星进一步表示，采用10LPP制程技术制造的单芯片系统产品，预计将于2018年首季推出相关的电子产品。三星电子代工市场行销副总裁Ryan Lee表示，透过从10LPE制程向10LPP制程的迈进，三星将能够更好地为客户提供服务，同时提高性能，提高初期产量。

另外，三星还同时宣布，位于韩国华城的最新S3生产线，目前正准备加速生产10纳米及其以下制程技术。S3是三星晶圆代工业务的第3座晶圆厂，其它2座分别是位于韩国京畿道的器兴(Giheung)的S1，以及位于美国奥斯汀的S2。根据规划，三星的7纳米FinFET制程技术与EUV(Extreme Ultra Violet)技术也预计将在S3晶圆厂中于2018年开始大量生产。