长江存储加大国产工艺设备采购，128层3D NAND正加速量产

长江存储的国产闪存事业已经节节升高，从 32 层闪存小试牛刀，到 64 层闪存担纲主力，再到今年 4 月份宣布 128 寸 QLC 闪存。

随着产能的增长，长江存储也不断加大国产半导体设备的采购。据悉，截至今年 7 月初，长江存储已累计释放 2048 台工艺设备，其中国产设备 290 台，国产化率 14%。

其中，北方华创中标 3 台刻蚀设备，3 台薄膜沉积设备及 4 台退火设备，对应领域占比分别为 6%、5%和 18%；中微半导体中标 9 台刻蚀设备，占比 19%；华海清科中标 6 台 CMP 设备，占比 18%；精测电子中标 3 台检测设备，占比 13%。

14%的国产化率并不是很高的数字，但是要考虑到半导体设备行业中，几乎都被美日欧韩公司垄断了，国产设备拿下 14%的份额已经相当不容易，未来随着技术的升级迭代，国内率越来越高只是时间问题。

今年 6 月 20 日，长江存储宣布启动二期工程建设，计划产能为 20 万晶圆 / 月，目前的一期产能 10 万晶圆 / 月，两者合计将提供 30 万晶圆 / 月的庞大产能，预计能占到全球的 20%以上，设备采购对国内厂商还是一个重要机会。

今年 4 月 13 日，长江存储重磅宣布，其 128 层 3D NAND（X2-6070）研制成功，并已在多家主控厂商 SSD 等终端产品上通过验证。

据了解，这款产品的独特之处在于，它是业内首款 128 层 QLC 3D NAND，且拥有已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高 I/O 传输速度和最高单颗 NAND 闪存芯片容量。

根据规划，长江存储 128 层 NAND 产品的量产时间将在今年年底到 2021 年上半年之间，随着产能和良率的逐步提升，预计 2021 年将实现 10 万片 / 月的产能。

作为闪存行业的新人，长江存储用短短 3 年时间实现了从 32 层到 64 层再到 128 层的跨越。这既是数千长存人汗水的凝聚，也是全球产业链上下游通力协作的成果。