英诺赛科半导体明年即可量产，为我国高端半导体器件填补空缺

据悉，英诺赛科半导体项目厂房施工已经完成，明年二季度正式量产，年可生产半导体芯片 78 万片，年销售收入约 80 亿元。

该项目由原美国宇航局科学家骆薇薇博士，原韩国 LG 公司北美区域总裁孙在亨先生和德国科学院院士韦伯教授等共同创立，主要建设从器件设计，驱动 IC 设计开发，材料制造，器件制备，后段高端封测以及模块加工的全产业链宽禁带半导体器件制造平台。

该项目建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。

图片来源网络

英诺赛科 CEO 孙在亨曾表示，该项目建成后将填补我国高端半导体器件的产业空白。同时，该项目也是该领域全球首个大型量产基地，为 5G 移动通信、新能源汽车、高速列车、电子信息、航空航天、能源互联网等产业的自主创新发展和其他转型升级行业核心电子元器件。

目前，英诺赛科已经和下游的几家封装企业建立合作关系，并与上海、江苏、浙江上游端的 IC 设计公司等密切合作。接下来，将借助长三角的半导体产业基础，与区域内更多企业开放合作，形成跨区域的产业链集群。