台积电已启动2纳米工艺研究，进展如何？

5月7日讯，据外媒报道，台积电公布了 2019 年年报，并在年报中首度提及 2nm 技术。

在 2018 年年报中，台积电的表述为，公司 3nm 技术已进入全面开发阶段，而 3nm 以下的技术已开始定义并密集进行先期开发。

在 2019 年年报中，台积电表示，当台积电公司采用三维电晶体之第六代技术平台的 3nm 技术持续全面开发时，公司已开始开发领先半导体业界的 2nm 技术，同时针对 2nm 以下的技术进行探索性研究。

关于 3nm 制程技术，台积电表示，相较于 5nm 制程技术，3nm 制程技术大幅提升晶片密度及降低功耗并维持相同的晶片效能。2019 年，台积电的研发着重于基础制程制定、良率提升、电晶体及导线效能改善以及可靠性评估。台积电表示，今年将持续进行 3nm 制程技术的全面开发。

台积电未详细介绍 2nm 制程技术。关于微影技术，台积电表示，去年，微影技术研发的重点在于 5nm 的技术转移、3nm 技术的开发及 2 nm 以下技术开发的先期准备。5nm 技术已经顺利地移转，研发单位与晶圆厂合作排除极紫外光微影量产问题。

针对 3nm 技术的开发，极紫外光(EUV)微影技术展现优异的光学能力，与符合预期的晶片良率。研发单位正致力于极紫外光技术，以减少曝光机光罩缺陷及制程堆叠误差，并降低整体成本。

今年，台积电将在 2nm 及更先进制程上将着重于改善极紫外光技术的品质与成本。台积电表示，去年极紫外光专案在光源功率及稳定度上，有持续性进展，光源功率稳定与改善，得以加快先进技术学习速度与制程开发。

此外，极紫外光光阻制程、光罩保护膜及相关光罩基板，也都展现显著进步，极紫外光技术正逐步迈向全面生产制造就绪。