兆易创新称其自研DRAM预期明年上半年生产

近日，由中国证监会投资者保护局指导，上海证券交易所、北京证监局主办，全景网等共同承办的“诚实守信 做受尊敬的上市公司”投资者保护专项行动走进北京上市公司——兆易创新。

在互动交流环节，兆易创新董事会秘书李红介绍了兆易创新 DRAM 定增募投项目进度以及发展计划、存储器产品、公司三大业务协同关系等方面的情况。

其自研 DRAM 正按照原计划进行，目前研发进度跟预期基本一样，预期明年上半年会有产品出来。自研第一个产品会是 DDR3，4Gb 容量，面向利基市场。

2019 年 9 月，兆易创新发布公告称，拟募集资金 43 亿元，其中扣除发行费用后的募集资金净额将用于 DRAM 芯片研发及产业化项目及补充流动资金。其中，DRAM 芯片研发及产业化项目计划投资 39.92 亿元，拟投入募集资金 33.24 亿元。

兆易创新拟通过本项目，研发 1Xnm 级（19nm、17nm）工艺制程下的 DRAM 技术，设计和开发 DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4 系列 DRAM 芯片。根据规划，兆易创新计划在 2021 年对首款芯片客户验证完成后进行小批量产，测试成功后进行大批量产。

资料显示，兆易创新自 2005 年设立并进入闪存芯片设计行业，其主营业务为闪存芯片及其衍生产品、微控制器产品、传感器模块的研发、技术支持和销售。而在 DRAM 产业化项目实施完毕后，兆易创新在存储器领域的产品结构将得到进一步丰富，在 NOR Flash、NAND Flash 基础上切入 DRAM 存储芯片。项目完成后，兆易创新将掌握 DRAM 技术、具备 DRAM 产品设计能力。

值得一提的是，兆易创新还指出，其 Flash 产品在 TWS 耳机当中的导入容量确实在上升，目前 256MB 的产品正在导入中，同时，公司 55nm NOR Flash 现在正在市场推广中，预计占比会逐季的上升，到今年四季度，预期能够达到两位数。明年产能会逐步切换，预期占比会逐季上升。