英唐智控与中天弘宇、中宇天智与中天弘宇合作，加快新型闪存技术产业化

日前，英唐智控公告称，公司于 11 月 27 日与中天弘宇集成电路有限责任公司（下称“中天弘宇”）、中宇天智集成电路（上海）有限公司（下称“中宇天智”）签署了《合作协议书》。

双方就拟后续在芯片相关领域的业务开展达成合作意向，建立战略合作伙伴关系，合作期限从 2020 年 12 月 1 日到 2023 年 11 月 30 日截止。

图源：Baidu

英唐智控介绍，通过本次合作协议的签署，双方将拟以新型闪存技术在电源管理芯片上的产业化应用为开端，公司将借助中天弘宇及中宇天智在新型闪存方面的自主知识产权设计研发能力、生产制造能力及相关专业技术经验，并结合公司日本研发团队、上市公司平台优势和客户渠道资源，加快新型闪存技术的持续创新、产品的大规模应用及自主生产能力建设的进程。

“如果上述进程得以逐步实现，将有助于公司获取更多的半导体芯片设计研发、生产制造资源,并有望为公司业绩提供有效支持，提升公司的行业地位和综合竞争力，符合公司向上游半导体芯片领域转型升级的战略目标。”

据集微网消息，本次三方战略合作，将主要从战略合作层面、资本合作层面和业务合作层面三个方向来展开。

其中，在战略层面，三方拟结合政府资源在深圳或附近区域进行生产线布局及建立代工厂的规划及具体技术支持、配合工作；将在资本层面形成深度合作，相互持股、股权互相优先开放。

而在业务层面，三方将联合开发电源管理类芯片产品，鉴于英唐智控已有的客户、渠道分销优势，结合中天弘宇、中宇天智在全球领先的 90nmBCD 工艺平台上的验证 IP，将为客户提供高性价比的电源管理类芯片系列产品。

随着产品研发及量产的逐步推进，中天弘宇和中宇天智将陆续授权英唐智控在 IP 代理、产品分销的业务上开展全面合作，具体代理、分销协议，根据产品推进步骤，分别签署。

同时，为加强与中天弘宇、中宇天智的合作并鼓励其开发出更多更具有竞争力的产品，英唐智控将从日本调集中天弘宇、中宇天智急缺的模拟工程师支持其设计工作。

资料显示，英唐智控拥有丰富的市场资源与系统的销售网络，现正在逐步转型为半导体 IDM 企业，专注行业细分领域、模拟电路及模拟逻辑混合芯片的设计研发及制造。该公司子公司日本英唐微技术有限公司拥有一支经验丰富且稳定的研发和工艺团队，人数超过 130 多人，平均从业经验超过 12 年，在模拟电路设计领域具有深厚的技术积累。

由于传统 NOR 闪存拥有读取速度快、芯片内可执行代码等优势，但传统结构的 NOR 闪存无法突破 90nm 栅极长度的技术瓶颈，导致 NOR 闪存的记忆单元面积无法降低到 10F2 以下，使其芯片成本居高不下，应用场景往往被 DRAM+NAND 的组合模式所替代。

中天弘宇研发团队在经过十多年的持续研究，完成了对传统 NOR 闪存机理和结构创新，其拥有自主知识产权的新型闪存创新技术、发明及专利成果，已被中国电子学会组办的专家委员会鉴定为：在不改变现有标准 CMOS 工艺的情况下突破闪存的缩微技术瓶颈，“在非易失存储领域属国际首创技术”。并且其拥有自主知识产权的独立式存储系列产品性能价格比优于市场上同类产品。

而中宇天智在传统嵌入式闪存基础上，创新了工作机理和器件结构，拥有自主知识产权的嵌入式闪存 IP，在全球嵌入式闪存尚未突破 28nm 的背景下，中宇天智的嵌入式闪存具备理论上可微缩到 5nm 的工艺制程的条件，并且性能价格比优于市场上同类 IP。同属世界首创技术。

英唐智控表示，三方的合作将以中天弘宇、中宇天智的新型闪存技术在电源管理芯片的实际应用为突破口，该应用已在全球领先的 90nmBCD(BiCMOS/CMOS)工艺平台上得到了验证，验证结果突破了目前市场上电源管理芯片 130-180nm 的主流工艺制程水平，90nmBCD 工艺在电源管理芯片的应用属于全球首创，拥有明显的能耗和成本优势，具有良好的产业化前景。

根据赛迪顾问统计数据，2012-2018 年，国内电源管理芯片市场规模从 430.68 亿元增长至 681.53 亿元，年复合增速达 7.95%。根据前瞻产业研究院的统计和预测，全球电源管理芯片市场规模 2018 年为 250 亿美元，预计到 2026 年全球市场规模将达到 565 亿美元，2018-2026 期间年复合增长率(CAGR)为 10.69%，其中以中国大陆为主的亚太地区是未来最大增长区域市场。

“三方的优势资源可以实现良好的结合互补，加快新型闪存技术在电源管理芯片及其他相关产业的产业化进程。因此基于良好的信任，从长远发展战略上的考虑，决定共同携手，在战略、资本及业务三个层面开展全面合作。”

但需注意的是，中天弘宇及中宇天智的新型闪存技术已经获得相关的技术鉴定认可并通过了前期的生产验证，在自主生产能力建设完成前，其产能主要依靠合作方代工实现，目前尚未形成大规模的生产及销售，后续能否实现新型闪存技术应用产品的大规模生产销售及自主产线的建设投产还存在一定的不确定性。