长电科技成功开发双面封装SiP工艺，完美利用芯片底部空间

进入 2020 年，国内新基建浪潮来袭，众多芯片厂商大力推动 5G 芯片进入市场。芯片飞速发展的背后，封装技术也乘势进入快速发展阶段。

长电科技敏锐感知市场需求和技术发展趋势，成功研发出更高密度的双面封装 SiP 工艺。随着半导体技术的不断发展，为了满足越来越多的应用需求，电子封装体正朝着小型化、微型化发展，因此系统级封装技术（SiP）越来越受到重视。

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在 5G 通讯被快速推广的今天，SiP 技术可节省开发时间和避免试错成本，因而被广泛地应用于移动终端设备中，具有很高的商业和技术价值。

随着 5G 时代的来临， Sub-6G 和毫米波频段上的移动终端产品被广泛应用。

如何满足 5G 毫米波的射频需求，并将更多元器件 “塞”进体积微小的射频前端模组是未来技术的关键点。作为全球领先的半导体微系统集成和封装测试服务提供商，长电科技选择直面挑战，攻克技术难题，成功于 2020 年 4 月通过全球行业领先客户的认证，实现双面封装 SiP 产品的量产。

在这项突破性技术工艺中，长电科技设计的双面封装 SiP 产品成功应用了双面高密度、高精度 SMT 工艺，将大量的主被动元器件贴装在基板两面，器件间的间距更是小到只有几十微米。双面封装 SiP 产品应用 C-mold 工艺，实现了芯片底部空间的完整填充，并有效减少了封装后的残留应力， 保证了封装的可靠性。

Grinding 工艺的采用，使封装厚度有了较大范围的选择，同步实现精准控制产品的厚度公差。双面封装 SiP 产品应用 Laser ablation 工艺，去除多余塑封料，为后续锡球再成型工艺预留了空间，确保了更好的可焊性。

面对 5G 芯片需求爆发，先进晶圆制程价格高企，SiP 封装技术使封装环节在半导体产业链的价值得到大幅提升。

双面封装 SiP 的应用将迎来繁盛期，长电科技实现技术突破，成功将双面 SiP 产品导入量产，及时为国内外客户提供更先进、更优质的技术服务。