全球最大氮化镓工厂建设完成，英诺赛科苏州第三代半导体进入试生产

日前，英诺赛科苏州第三代半导体基地举行设备搬入仪式。这意味着英诺赛科苏州第三代半导体基地开始由厂房建设阶段进入量产准备阶段，标志着全球最大氮化镓工厂正式建设完成，同时也标志着中国半导体创新史步入一个新纪元。

苏州市委市政府领导、吴江区委书记李铭、吴江区委副书记、区人民政府代区长王国荣、吴江区委常委、汾湖高新区党工委书记万利、吴江区人民政府副区长、汾湖高新区党工委副书记、管委会主任张炳高等来自苏州、吴江、汾湖各相关部门的领导同志和第三代半导体市场的主要客户、重要设备厂商、资深投资人共 150 位嘉宾出席了仪式。

据了解，本次搬入的是国际领先的全自动系统，其行星式反应器平台为目前全球最先进的五片 8 英寸硅基氮化镓生产专业设备，具有极其稳定的工艺流程、高效的实时清洁系统以及对提高良率至关重要的卡匣式装卸装置。

随着设备的搬入，标志着作为中国“芯”动力的英诺赛科苏州第三代半导体基地进入试生产阶段，也标志着全球最大氮化镓工厂正式建设完成。

英诺赛科项目建成后将成为全球最大的集研发、设计、外延生产、芯片制造、测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台，满产后将实现月产 8 英寸硅基氮化镓晶圆 65000 片，产品将为 5G 移动通信、数据中心、新能源汽车、无人驾驶、手机快充等战略新兴产业的自主创新发展提供核心电子元器件。

英诺赛科苏州第三代半导体基地位于江苏省苏州市吴江区汾湖高新区，总占地 24.5 万平方米，属于江苏省重点项目，一期投资总额超 60 亿元人民币。项目预计今年年底进入试生产阶段。英诺赛科相关负责人表示，氮化镓功率芯片量产线的通线投产，填补了我国高端半导体器件的产业空白，同时也意味着制约我国第三代半导体产业的技术瓶颈得到突破。

英诺赛科于 2015 年底成立，是一家专业从事第三代半导体硅基氮化镓芯片开发与制造的企业，成立至今先后引进了近百名国际一流知名半导体企业的顶尖人才，组建国际一流半导体研发团队，开展自主研发工作，形成了自主可控核心技术，并已申请 290 余项国内外核心专利。

作为全球领先的硅基氮化镓功率器件制造商，英诺赛科采用集研发、设计、生产、制造和测试为一体的 IDM 模式，全产业链技术自主可控。商业模式具有明显高效低成本优势，优于国际友商，同时实现全产业链核心技术自主可控，为公司产品的快速迭代创新提供了一个最好的平台。

英诺赛科主要产品为 30V-650V 氮化镓功率器件、功率模块和射频器件等，产品覆盖面为全球氮化镓企业之首。公司的 IDM 产业化模式及其首创的 8 英寸硅基氮化镓功率与射频器件量产线，使公司产品具有高性能、低成本、高可靠性等市场优势。

英诺赛科积极建立完善基于硅基氮化镓的第三代半导体的生态体系，与众多国际、国内 IC 设计公司、磁材料公司、先进封装厂等厂商深度合作，开发针对硅基氮化镓的配套系统，建立自主可控的生态系统。尤其在快充领域，英诺赛科“InnoGaN”氮化镓功率器件已被魅族、努比亚、ROCK、飞频、Lapo 等多个品牌的采用，并实现了大规模量产，产品性能获得市场一致认可。

接下来，英诺赛科将借助长三角的半导体产业基础，与区域内更多企业开展合作，以进一步形成产业链集群，助力国产半导体实现“芯”突破。

2019 年 12 月 6 日，《瓦森纳协议》进行了新一轮的修订，部分修订内容针对用于先进制程（如 14nm 及以下的制程节点）所用的半导体硅片的生产技术出口管控，包括了技术及设备等部分，引发业界高端关注。

2020 年是中国大硅片产业发展的关键一年——沪硅产业登陆科创板；立昂微电子 A 股 IPO 成功过会；上海超硅获上海集成电路基金投资；TCL 收购中环集团；西安奕斯伟首批样品送出，即将量产；徐州鑫晶拉晶切磨抛部分产线试生产，测试片已送样；银和半导体二期项目进入批量试生产；麦斯克筹备 12 英寸硅片生产……

第三届中国半导体大硅片论坛将在 11 月 5-6 日南京召开。会议由亚化咨询主办，多家中国大硅片企业和日本领先半导体材料商重点参与，将重点探讨全球以及中国半导体大硅片市场供需；大硅片项目规划与建设进展；供需与价格趋势；制造技术与关键材料、设备；电子级多晶硅的国产化等议题。