台积电将在日本投资设立先进封测厂

了解到，日本经济产业省在美国以国安为由希望台积电赴美设厂后，担心将弱化日本在全球半导体地位，因而也立刻提出邀请台积电赴日本设立晶圆厂计划。日本经济产业省甚至邀请国内半导体设备、材料供应商共同参与这项计划，去年 4 月与台积电签订了合作协议，设立日本先进半导体研发中心。并编列了 1900 亿日元的经费。

台积电经过评估后，考量日本虽然在半导体设备暨材料技术具有优势，但晶圆制造端欠缺完整供应链，且会分散台积电在先进制程研发资源，最后决定放弃在日本设立晶圆厂。

日方争取台积电赴日设晶圆厂未果，目标转向说服台积电赴日本设立后段的先进封测厂。日本政府认为，台积电主宰全球半导体芯片制造核心，台积电选定在美国亚利桑那州设厂，能在有整段的时候获得高端芯片来源，不过所有芯片还是得透过后段封装才能用在各项系统和产品，而台湾在全球委外封测占比也逾五成。因此，日本政府近半年来转而积极争取台积电前往日本设立先进封测厂。

台积电计划赴日设立先进封测厂，台积电保密到家，不愿透露任何细节。不过台积电在新的年度同时对封测事业组织做了异动，原全力推动台积电 3Ｄ先进封测的研发副总余振华，转任台积电卓越院士兼研发副总经理，原职务转由主管研发的资深副总经理米玉杰负责。

外界推测，米玉杰可能将掌舵台积电日本封测厂。此外调整也可能为了应对蒋尚义出任中芯国际副董事长后，推动 “小芯片”系统级封装技术带来的挑战。