适用于5G移动的混合芯片

在大多数当前设备中，基于硅的CMOS芯片用于计算，但是事实证明它们在照明和通信方面效率低下，从而导致性能损失和散热问题。这就是为什么市场上当前的5G移动设备在使用过程中变得非常热，并在短时间内关闭后的原因。

在不久的将来，电子设备将必须包含将数据无线传输到控制中心的传感器。这意味着他们将不得不结合具有小尺寸和低工作功率的RF功能。实现所有这些目标的一种干净而有希望的方法是创建将硅CMOS功能与III-V器件功能相结合的单个芯片。这些III-V芯片由元素周期表的第3列和第5列中的元素组成，例如氮化镓（GaN）和砷化铟镓（InGaAs）。由于其独特的性能，它们特别适用于光电（LED）和通信（5G），从而提高了系统的整体效率。

芯片和5G网络

5G不仅仅是更快的4G。运行5G的网络将比现有4G网络快20倍，从而使视频下载速度快10倍。5G被认为是“新”网络，是管理物联网（IoT）的基础设施候选者。

5G网络将带来先进的云应用服务，具有智慧城市，无人驾驶汽车和新型工业平台的智能互联社会。必须构建实现所有这些功能所必需的IC，但是仍然要做大量的设计工作以及要执行的测试和测量。最具挑战性的障碍包括标准的不断发展，毫米波（mmWave）技术的采用以及成本的控制。

GaN技术的功率密度已成为行业的转折点，并且相控阵应用和其他领域中使用的此类器件的数量也在增加。最终，价格达到了使该技术甚至对精打细算的消费者市场都具有吸引力的水平。这些技术具有将高速转换器与微波组件（包括功率放大器和偏置电路）集成在单个芯片中的潜力。

硅CMOS技术可实现约20％的功率附加效率（PAE），而GaN器件可实现50％或更高的PAE。但是硅CMOS技术的优势是可以集成更多功能（例如片上数字控制，自适应匹配，数字预失真等）。