新洁能：明星机构提前布局 MOSFET等产品未来替代空间大

产业政策利好资本市场加持，半导体产业在二级市场稳中求进，自2020年年初至今，半导体产业指数已由3770.2点大涨至5699.54点，涨幅高达51.17%。新洁能作为这一赛道中的细分领域领军企业，公司MOSFET、IGBT等产品体系丰富，未来国产替代空间广阔。公司于2020年9月28日正式登陆上交所挂牌与投资者见面，借助资本市场的力量，乘着半导体产业快速发展的东风，新洁能将迎来利润的持续释放期。

市盈率较低 获达晨创投、上海贝岭等明星机构提前布局

目前A股已经集齐了从芯片设计、制造、封装测试、设备、材料等领域的半导体上市公司，作为未来十年确定性最强的投资机遇，巨大的进口替代市场、国家的信息安全成为国内半导体产业发展的主要逻辑。此外，半导体产业市场景气度较高，据WIND数据显示，截至9月25日A股收盘，申万二级半导体指数近20日主力净流入额高达75.93亿元，位居申万二级行业第二。

新洁能是一家在江苏无锡成长起来的半导体功率器件设计领军企业，公司专业从事MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售，且MOSFET、IGBT等产品逐步实现进口替代。公司发行价格为19.91元/股，市盈率为22.99倍，同行业可比上市公司中，扬杰科技目前动态市盈率为72.3倍，韦尔股份为117倍，富满电子则高达160倍，可以看到，新洁能目前估值相较于可比公司远远处于低点，上市后有望迎来价值回归。

值得关注的是，公司在上市前即获得达晨创投、上海贝岭、金浦新投、祥禾涌安、武岳峰等明星投资机构加码布局。据公司股权结构资料显示，公司第二位至第七位股东分别为达晨创投、上海贝岭、国联创投、金浦新投、金投控股、君熠投资。其中，上海贝岭于2015年11月成为公司股东，达晨创投、金浦新投也均于2017年上半年成为公司股东，目前上述股东仍在公司股东名列，侧面反映了明星机构对公司内在价值的认可，这也留给二级市场一定的想象空间。

技术驱动高成长 MOSFET、IGBT或将成为未来增长最强劲的产品

公司具备独立的MOSFET和IGBT芯片设计能力和自主的工艺技术平台，是国内率先掌握超结理论技术，并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一。同时，为持续巩固并提升公司在市场中的技术竞争优势，近几年公司持续加大研发投入，数据显示，2017年—2019年，公司研发费用分别为2162.27万元、3283.88万元、3449.53万元，年均复合增长率为26.31%。

经过多年的经验积累，目前公司已形成了11项核心技术且均处于国内领先地位。与此同时，公司亦率先在国内研发基于12英寸晶圆片工艺平台的MOSFET产品，且部分产品已经处于小批量风险试产环节。此外，公司提前布局半导体功率器件最先进的技术领域，开展对SiC/GaN宽禁带半导体功率器件的研究探索及产业化。

基于技术的持续驱动，目前公司主要产品包括MOSFET及IGBT，两者已成为最主流的功率器件之一。与此同时，伴随下游需求增长的供不应求，目前功率器件应用范围已经逐步拓展至新能源、轨道交通、智能电网等新领域，可以说未来凡是用到电的地方，就会用到功率器件。据Gartner 统计数据显示，汽车行业越来越成为下游主要需求方，而功率半导体尤其是MOSFET及IGBT，是汽车电子的核心，根据Strategy Analytics的分析，在传统内燃机车上，功率半导体价值为71美元，占据车用半导体总价值的21%；而在纯电动车上，功率半导体价值为387美元，占据车用半导体总价值的55%。

此外，5G通讯建设和设备升级、智能家居逐步普及、制造业升级及工业自动化也将促进大量功率半导体需求的释放。由此可见，受益于下游行业蓬勃发展带来的旺盛需求，公司MOSFET与IGBT模块有望成为未来增长最强劲的产品。

募投产品扩产增效 上市开启新局面

公司拟将此次募集资金全部用于超低能耗高可靠性半导体功率器件研发升级及产业化、半导体功率器件封装测试生产线建设、碳化硅宽禁带半导体功率器件研发及产业化、研发中心建设及补充流动资金。

上述项目落地投产后，公司将实现对封装环节质量的自主把控，确保产品的可靠性和一致性，同时实现产品结构升级，从而打破国际半导体企业在高端应用领域的垄断地位，打造中国制造高端品牌。未来公司将借助资本市场力量，紧跟半导体产业发展步伐，进一步扩展深化MOSFET及 IGBT 产品，持续整合半导体功率器件封装测试环节垂直产业链，掌控先进半导体功率器件封装产线并布局SiC/GaN宽禁带半导体功率器件，力争发展成为国际一流的半导体功率器件企业。