三星、SK海力士加速推进EUV DRAM，美光暂不打算跟进

虽然手机 SoC 对于半导体工艺制程要求较高，目前不少已经进入了 5nm，但对于 DRAM 内存芯片来说，对于制程工艺的追求却要慢很多。

不过，近日据韩国媒体报道称，三星电子全新半导体工厂“平泽 2 厂”（P2）已于开始运营，这座目前全球最大的半导体工厂将率先采用 EUV 工艺来生产移动 DRAM 产品。

对此，美光（Micron）企业副总裁、中国台湾美光董事长徐国晋表示，美光不打算跟进，目前并无采用 EUV 计划。

据韩媒报道，在“Tech Week 2020 LIVE”活动上，三星电子和 SK 海力士宣布了各自关于下一代半导体技术的发展战略。其中，三星电子计划量产业界首批采用 3 纳米环绕式栈极（gate-all-around，简称 GAA）工艺制造的尖端芯片；SK 海力士则正准备生产基于极紫外光刻 (EUV)技术的 DRAM。

EUV 是一种波长为 13.5 纳米极紫外线光源，其波长大约是今天广泛使用的 DUV 深紫外光源的十分之一，因此能够在半导体晶圆上刻画出更加精细的电路。由于简化了半导体制造工艺，EUV 能够将制造精细电路所需的光刻工艺可近减少一半，并大幅提高生产率。目前 7nm 以下的半导体制造必须依赖于 EUV 光刻机才能够实现。

然而，EUV 光刻机造价昂贵，单台超过 1 亿欧元，所需投资巨大，同时 EUV 光刻技术也有很高的技术壁垒。因此，三星电子的 EUV DRAM 商业化决定不可谓不大胆。在今年 3 月将该技术应用于 10nm 级（1x）进程的 DRAM 之后，三星已具备将该技术应用于其第三代 1z 进程 DRAM 的能力。

据了解，三星的 EUV DRAM 是基于其第三代 10nm 级（1z）工艺的 16Gb LPDDR5 DRAM 开发的全新移动 DRAM 产品，传输速度达到 6400 Mb/sis，比目前大多数旗舰智能手机的 12Gb LPDDR5（5500 Mb/s）快 16%。而当该 DRAM 被制成 16GB 封装时，能够在一秒钟内处理 51.2GB 大小的文件，相当于 10 部全高清电影（5GB）。

三星电子的下一个目标是将该技术应用到下一代产品——第四代 10nm 级（1a）流程上的 DRAM 上。公司副董事长金基南（Kim Ki-nam）在今年 3 月举行的股东大会上表示，该公司计划开发第四代 10nm 级 DRAM 和第七代 V-NAND 内存，并计划在明年某个时候量产第四代 10nm 级 DRAM。除了三星之外，另一家 DRAM 大厂——SK 海力士也已在加速推进其基于 1a 工艺的 EUV DRAM 产品量产计划。

据韩媒报道称，SK 海力士旗下未来技术研究所专门成立了一个 EUV 光刻工作小组，正在研究 EUV 光刻所需的必要技术，如光刻、蚀刻和掩模制造，目标是将 EUV 工艺应用于明年初的 1a dram 生产，同时为在 2022 年完成 1b EUV DRAM 的开发制定了路线图。