两会加码半导体材料，氮化镓进入发展快车道

在刚刚结束的两会上，民进中央不仅提出要完善功率半导体产业发展政策，同时把功率半导体新材料研发也列入国家计划。这意味着，在政策的加码下，半导体材料迎来产能释放黄金期。

纵观当下，新基建发展风口正盛，掀起5G基站建设浪潮，产业红利有目共睹。作为5G基站的关键性材料，氮化镓将迎来发展新机遇。

新基建风口带动 氮化镓市场前景广阔

近日，李克强总理作政府报告时提出，重点支持“两新一重”建设，大力推动新型基础设施建设，发展新一代信息网络，拓展5G应用等，从政策上全面构建“新基建”发展网络。

令人欣喜的是，随着“新基建”的进一步推进，以碳化硅和氮化镓为核心的第三代半导体迅速崛起。其中氮化镓作为5G基站的关键材料，支撑着5G基站及工业互联网系统的建设，其重要性显而易见。

作为第三代半导体材料，相比现有的硅和砷化镓解决方案，氮化镓器件能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能，同时，其宽带性也是能够实现多频载波聚合等重要新技术的关键因素之一，未来前景市场广阔。

根据产业研究机构Yole预测，氮化镓射频器件市场到2024年将增长至20亿美元，同时随着5G的普及，将推动其在无线市场达到7.5亿美元的份额，占据市场绝大部分份额。

值得注意的是，氮化镓在整个功率半导体市场占比仍比较小，随着GaNonSi（硅基氮化镓）技术的不断成熟，将会带来成本的降低，氮化镓功率器件的潜在市场空间巨大，未来可期。

氮化镓商用加速 国产机会崛起

在市场潜力和政策加码的推动下，氮化镓将会持续释放产业潜能，商用化落地加速，国产机会正在崛起。

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国内氮化镓龙头企业海特高新不仅拥有国内首条自主可控的6英寸量产第二代、第三代国际领先半导体集成电路芯片生产线，目前其在基站射频氮化镓、充电硅基氮化镓等领域的研发也取得新突破，其中硅基氮化镓已经实现小规模量产。