京都半导体新研发高速光电二极管传输速度可达400Gbps

日前，日本京都半导体公司研发出一种高速光电二极管KP－H KPDEH12L－CC1C，可用于支持数据中心内部和数据中心之间基于PAM4的400Gbps传输系统。

图片来源京都半导体

在研发过程中，研究人员将4条25Gbps的线路捆绑在一起，实现了以100Gbps为主的传输速度。然而，市场上对400Gps到800Gbps传输速度的需求正不断增长。

随着InGaAs光电二极管的引入，京都半导体将继续支持5G或更高传输系统不断增长的速度和容量需求。

KP－H KPDEH12L－CC1C的主要特点包括：

―高速。借助电磁仿真软件，研究人员将载体上高频电极的大小、宽度及长度都进行了优化，使其在与市售跨阻放大器并用时，能够对用40GHz带宽。

―易于安装使用。 安装KPDEH12L－CC1C的载体被特别优化设计过以实现高频。光电二极管背面集成了一个聚光镜，使入射光能够在光吸收区被采集，并使光纤与PD的对齐更加容易。

KP－H光电二极管目前已通过通信设备方面标准可靠性测试Telcordia GR－468－Core的验证。