24nm 工艺，兆易创新发布全国产化NAND Flash

兆易创新正式推出全国产化 24nm 工艺节点的 4Gb SPI NAND Flash 产品——GD5F4GM5 系列，该系列产品从设计研发、生产制造到封装测试所有环节均为纯国产化与自主化产品，并已成功量产。

24nm 级别工艺意味着，兆易创新已迈入当下 SLC NAND Flash 先进技术行列。在相关技术遭到部分海外国家限制的当下，该技术的突破，一定程度上减轻了海外技术封禁对我国相关企业和技术产品生产的负面影响。但在全球范围内，NAND Flash 产品最顶尖的技术可以达到 1xnm 级别，我国相关半导体技术仍然任重道远。

了解到，该产品采用串行 SPI 接口，引脚少、封装尺寸小，在集成了存储阵列和控制器的同时，还带有内部 ECC 纠错算法，擦写次数可达 5 万次，提高可靠性的同时延长产品使用寿命。

相比于上一代 NAND 产品，GD5F4GM5 系列大大提升了读写速度，最高时钟频率达到 120MHz，数据吞吐量可达 480Mbit/s，支持 1.8V/3.3V 供电电压，能够满足客户对不同供电电压的需求；同时提供 WSON8、TFBGA24 等多种封装选择。

该创新技术产品有助于进一步丰富兆易创新的存储类产品线，为客户提供更优化的大容量代码存储解决方案。

兆易创新成立于 2005 年，是一家以中国为总部的全球化芯片设计公司。公司致力于各类存储器、控制器（GD32TMMCU）及周边产品（SSD）的设计研发，在中国大陆（北京 / 合肥 / 上海 / 深圳）、台湾、韩国、美国、日本等多个国家和地区设有分支机构，营销网络遍布全球。