连续第四次参加EDICON，三安集成带来第三代 HBT 以及 ED-mode pHEMT 制程工艺

近日，三安集成连续第四次参加电子设计创新大会（EDICON），与通讯行业同仁共同探讨行业热门话题。本次展会，三安集成携最新突破的第三代 HBT 以及 ED-mode pHEMT 制程工艺，为客户呈现两场技术交流分享会。

厦门市三安集成电路有限公司（简称“三安集成”）位于厦门市火炬（翔安）高新技术开发区内，成立于 2014 年 5 月，总投资额 30 亿元。三安集成电路是涵盖微波射频、高功率电力电子、光通讯等领域的化合物半导体制造平台；具备衬底材料、外延生长、以及芯片制造的产业整合能力，拥有大规模、先进制程能力的 MOCVD 外延生长制造线。

三安集成在砷化镓射频芯片制造工艺领域持续投入，不断提高工艺水平，第三代 HBT 工艺可以应用于 HPUE/APT PA，提供了更高的功率密度以及 PAE 水平，支持客户在高频段消费类通讯的应用需求。另外，0.1/0.15/0.25um pHEMT 工艺均已实现量产，可以为客户提供世界一流的生产能力和性能水平。在展会期间，砷化镓射频事业部的林义书处长就 5G 应用市场阐述三安集成的服务能力。

为配合客户在射频前端模组的设计需求，三安集成也在积极建设滤波器产业链，于日本成立研发中心，汇集国际尖端科研智慧，及时响应市场动态，为客户提供最新的技术成果；三安集成在泉州南安制造基地布局了完整的滤波器供应链，垂直整合了研发设计，衬底材料，芯片制造和封装测试等环节，确保稳定持续的产能供应。

此外，预计到 2021 年第二季度，产能可以达到 120Mu/ 月。滤波器事业部的谢祥政经理也就表面声波（SAW）滤波器仿真的相关议题进行了分享。