台积电1nm制程靠什么“新材料”支撑？

最近，关于制程的竞争似乎再次白热化，尽管Intel还在10nm徘徊，但其架构与模式不同，就在台积电针对三星的3nm进行反击之时，IBM推出了2nm制程芯片，于是匆忙之下，台积电又推出1nm制程工艺，那么，是什么支撑了台积电的新工艺呢？

在芯片制造领域，台积电无疑是该领域的翘楚，不仅推动了5nm芯片的商用，3nm也将在2022年实现量产，不仅如此，台积电已经将目光聚焦在了更领先的2nm制程工艺，今年3月，台积电宣布启动了2nm的芯片工艺研发，并且将放弃使用多年的FINFET技术，取而代之的是GAA技术，并有望在2024年投入量产。

台积电传来消息虽然美国半导体巨头IBM推出了2nm芯片制造技术，但IBM本身并不是芯片制造企业，想要打造自己的IP，必须与“友商”三星进行合作，IBM此举，也被众人认为是抢“2nm芯片的首发”。然而就在IBM宣布2nm芯片制造技术不久后，台积电也传来了新消息，而这次是1nm！

近日，著名科学杂志《自然》公布了台积电、台湾大学和麻省理工共同研发的半导体新材料，这是芯片制造过程中的新材料——铋，而通过这种材料有望突破摩尔定律1nm的极限，IBM刚宣布了2nm芯片制造技术，台积电就发现了1nm制程工艺的新材料！

众所周知，芯片技术的不断发展，制造工艺即将逼近物理极限，不仅难度越来越高，良品率也将很难得到保证，巨大的成本将不足以支撑未来的消费市场，而这种可用于制造芯片的新材料铋，将其作为二位材料的接触电极，可大幅降低电阻并提高电流，使其效能几乎与硅一致，台积电表示，运用这种材料后，不仅能实现未来1nm的芯片制程，同时还能将延续摩尔定律，将芯片制程升级到1nm一下。

尽管台积电声称推出1nm制程，但实现量产至少需要3年左右。

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